[发明专利]二次电池用负极活性物质、二次电池用负极以及二次电池

权利要求书

1.一种二次电池，具备正极、包含负极活性物质的负极和电解液，

所述负极活性物质包含含锂硅氧化物，所述含锂硅氧化物包含锂以及硅作为构成元素，同时在表层存在镁，

所述含锂硅氧化物含有包含所述硅的相和包含由式(1)表示的硅酸锂中的至少一种的相，

所述镁存在的范围为从所述含锂硅氧化物的表面朝向深度方向10nm以上且3000nm以下的范围内，

所述镁形成由式(2)表示的硅酸镁中的至少一种，

所述镁的摩尔数相对于所述锂的摩尔数的比例为0.1mol％以上且20mol％以下，

Li_aSi_bO_c…(1)，

其中，a、b以及c满足1≤a≤6、1≤b≤3以及1≤c≤7，

Mg_xSi_yO_z…(2)，

其中，x、y以及z满足1≤x≤3、1≤y≤2以及1≤z≤4。

2.根据权利要求1所述的二次电池，其中，

所述硅酸锂包含Li₂SiO₃、Li₂Si₂O₅、Li₄SiO₄以及Li₆Si₂O₇中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的二次电池，其中，

所述硅酸镁包含MgSiO₃以及Mg₂SiO₄中的至少一方。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二次电池，其中，

所述范围为50nm以上且3000nm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的二次电池，其中，

所述二次电池是锂离子二次电池。

6.一种二次电池用负极，包含负极活性物质，

所述负极活性物质包含含锂硅氧化物，所述含锂硅氧化物包含锂以及硅作为构成元素，同时在表层存在镁，

所述含锂硅氧化物含有包含所述硅的相和包含由式(1)表示的硅酸锂中的至少一种的相，

所述镁存在的范围为从所述含锂硅氧化物的表面朝向深度方向10nm以上且3000nm以下的范围内，

所述镁形成由式(2)表示的硅酸镁中的至少一种，

所述镁的摩尔数相对于所述锂的摩尔数的比例为0.1mol％以上且20mol％以下，

Li_aSi_bO_c…(1)，

其中，a、b以及c满足1≤a≤6、1≤b≤3以及1≤c≤7，

Mg_xSi_yO_z…(2)，

其中，x、y以及z满足1≤x≤3、1≤y≤2以及1≤z≤4。

7.一种二次电池用负极活性物质，包含含锂硅氧化物，所述含锂硅氧化物包含锂以及硅作为构成元素，同时在表层存在镁，

所述含锂硅氧化物含有包含所述硅的相和包含由式(1)表示的硅酸锂中的至少一种的相，

所述镁存在的范围为从表面朝向深度方向10nm以上且3000nm以下的范围内，

所述镁形成由式(2)表示的硅酸镁中的至少一种，

所述镁的摩尔数相对于所述锂的摩尔数的比例为0.1mol％以上且20mol％以下，

Li_aSi_bO_c…(1)，

其中，a、b以及c满足1≤a≤6、1≤b≤3以及1≤c≤7，

Mg_xSi_yO_z…(2)，

其中，x、y以及z满足1≤x≤3、1≤y≤2以及1≤z≤4。