[发明专利]图像显示装置的制造方法以及图像显示装置在审
申请号: | 202180065686.0 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN116420240A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 秋元肇 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲天佐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 显示装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种图像显示装置的制造方法,其特征在于,具备如下工序:
在第一基板上形成包含石墨烯的层;
在所述包含石墨烯的层上形成包含发光层的半导体层;
加工所述半导体层,形成发光元件,该发光元件在所述包含石墨烯的层上具有底面,且包含作为所述底面的相反侧的面的发光面;
形成将所述第一基板、所述包含石墨烯的层以及所述发光元件覆盖的第一绝缘膜;
在所述第一绝缘膜上形成电路元件;
形成将所述第一绝缘膜以及所述电路元件覆盖的第二绝缘膜;
去除所述第一绝缘膜的一部分以及所述第二绝缘膜的一部分而使包含所述发光面的面露出;
形成贯通所述第一绝缘膜以及所述第二绝缘膜的通孔;以及
在所述第二绝缘膜上形成布线层,
所述发光元件包含在所述包含石墨烯的层上形成的连接部,
所述通孔设于所述布线层与所述连接部之间,将所述布线层以及所述连接部电连接。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述半导体层的工序中,所述半导体层通过溅射而形成。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述包含石墨烯的层之前,还具备在所述第一基板上形成具有光反射性的第一部分的工序,
在俯视时,所述发光元件的外周配置于所述第一部分的外周以内。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述第一基板包含透光性基板。
5.根据权利要求4所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述第一基板还包含设于所述透光性基板上且具有挠性的第二基板,
所述图像显示装置的制造方法还具备在形成所述布线层之后去除所述透光性基板的工序。
6.根据权利要求5所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述包含石墨烯的层之前,还具备在所述第二基板上形成包含硅化合物的层的工序。
7.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具备在所述发光面上形成透光性电极的工序。
8.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
所述半导体层包含氮化镓系化合物半导体。
9.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于,
还具备在所述发光元件上形成波长转换部件的工序。
10.一种图像显示装置,其特征在于,具备:
基板,其具有第一面;
包含石墨烯的层,其设于所述第一面上;
发光元件,其设于所述包含石墨烯的层上,在所述包含石墨烯的层上具有底面,且包含作为所述底面的相反侧的面的发光面的面;
第一绝缘膜,其覆盖所述发光元件的侧面、所述第一面以及所述包含石墨烯的层;
电路元件,其设于所述第一绝缘膜上;
第二绝缘膜,其覆盖所述第一绝缘膜以及所述电路元件;
通孔,其贯通所述第一绝缘膜以及所述第二绝缘膜而设置;以及
布线层,其设于所述第二绝缘膜上,
所述发光元件包含第一半导体层、设于所述第一半导体层上的发光层及设于所述发光层上的第二半导体层,从所述底面朝向所述发光面依次层叠所述第一半导体层、所述发光层以及所述第二半导体层,
所述通孔设于从所述第一半导体层形成到所述包含石墨烯的层上的连接部与所述布线层之间,将所述第一半导体层与所述布线层电连接。
11.根据权利要求10所述的图像显示装置,其特征在于,
还具备设于所述第一面与所述包含石墨烯的层之间且具有光反射性的第一部分,
在俯视时,所述发光元件的外周配置于所述第一部分的外周以内。
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