[发明专利]用于培育单晶的方法

权利要求书

1.用于特别是由碳化硅培育单晶的设备(401、501)，所述设备包括坩埚(403、502)，所述坩埚(403、502)限定外周面(503)并且此外还界定具有在底部部段(406、505)与开口部段(506)之间的轴向延伸的容纳腔(504)，所述容纳腔(504)构造成用于培育单晶，其中，所述设备具有至少一个籽晶层(507)，其特征在于，所述籽晶层(405、507)由多个籽晶板(507a、507b、507c)马赛克式地组装而成。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述籽晶层中的籽晶板(507a、507b、507c)的晶向相同地定向。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述籽晶板(507a、507b、507c)分别具有多边形、特别是六边形的周边轮廓。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶板(507a、507b、507c)在籽晶板与坩埚(403)的盖子(404)之间设置或不设置中间层的情况下与所述盖子连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶板(507a、507b、507c)施加在与所述盖子(403、515)分开的基体(516)上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其特征在于，所述基体由石墨形成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶层具有在350μm至2000μm之间的厚度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶层具有在2.20kg/m²至3.90kg/m²之间的面密度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶层具有至少一个抛光的和/或干蚀刻和/或打磨的表面。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶层具有在10nm至0.01nm之间的涉及表面的粗糙度值。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的设备，其特征在于，所述籽晶层(507)用至少一种材料、特别是SiC或AIN掺杂。

12.用于特别是由碳化硅制造籽晶层的方法，其特征在于，由多个籽晶板(507a、507b、507c)马赛克式地组装成籽晶层(507)。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，由晶片制造各个籽晶板(507a、507b、507c)。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，在基体和籽晶板之间设置或不设置至少一个中间层的情况下，将所述籽晶板(507a、507b、507c)施加在基体上。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其特征在于，特别是通过CVD法向所述籽晶板(507a、507b、507c)上施加至少一个由单晶碳化硅组成的取向附生层。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法，其特征在于，对所述籽晶层进行打磨、抛光和/或干蚀刻。

17.根据权利要求12至16中任一项所述的方法，其特征在于，对已组装的籽晶层(507)进行热处理。

18.根据权利要求12至17中任一项所述的方法，其特征在于，在升华气氛中给所述籽晶层(507)设置至少一种材料，特别是SiC或AIN。