[发明专利]半导体模块

说明书

一种半导体模块，包括：第一端子，其被配置为被供给有第一电位；第二端子；第三端子，其被配置为被供给有低于第一电位的第二电位；第一开关，其连接在第一端子和第二端子之间；第二开关，其连接在第二端子和第三端子之间；第一驱动器，其被配置为接通和关断第一开关；以及第二驱动器，其被配置为接通和关断第二开关。第一驱动器被配置为基于供给到第二端子的电压来设定禁止时段，在该禁止时段期间第一开关被禁止接通。

技术领域

本文所公开的发明涉及一种半导体模块。

背景技术

诸如IPM(智能功率模块)的高耐压半导体模块包括高侧开关、与高侧开关串联连接的低侧开关、用于驱动高侧开关的高侧驱动器以及用于驱动低侧开关的低侧驱动器。

高侧驱动器基于从外部供给的第一控制信号来驱动高侧开关。低侧驱动器基于从外部供给的第二控制信号来驱动低侧开关。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2016-82281号公报

发明内容

发明要解决的课题

如果高侧开关和低侧开关同时接通，则直通电流通过，并且这可能破坏高侧开关和低侧开关。

在生成第一控制信号和第二控制信号的常规微处理器中，为了防止高侧开关和低侧开关同时导通，设置死区时间段，使得在该时间段中，高侧开关和低侧开关都保持关断。

然而，生成第一控制信号和第二控制信号的微处理器不能识别高侧开关和低侧开关的状态，因此设置时间充足的死区时间段以顾及例如高侧开关和低侧开关之间的状态转变延迟的差的最坏情况估计。由于死区时间段太长降低了效率，因此优选地使死区时间段缩短到最低限度。

用于解决课题的手段

根据本文所公开的一个方面，提供了一种半导体模块，该半导体模块包括：第一端子，其被配置为被供给有第一电位；第二端子；第三端子，其被配置为被供给有低于第一电位的第二电位；第一开关，其连接在第一端子和第二端子之间；第二开关，其连接在第二端子和第三端子之间；第一驱动器，其被配置为接通和关断第一开关；以及第二驱动器，其被配置为接通和关断第二开关。第一驱动器被配置为基于供给到第二端子的电压来设定禁止时段，在该禁止时段期间第一开关被禁止接通。

根据本文所公开的另一方面，提供了一种电源装置，该电源装置包括电感器和根据上述配置的半导体模块，该半导体模块的第二端子连接到电感器的一端。

根据本文所公开的又一方面，提供了一种马达装置，该马达装置包括马达和根据上述配置的半导体模块，该半导体模块的第二端子连接到马达。

发明的效果

本文所公开的半导体模块可以避免直通电流。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体模块的配置的图；

图2是示出在根据第一实施例的半导体模块中开关电压等的时序图；

图3是示出根据第二实施例的半导体模块的配置的图；

图4是示出电源装置的配置示例的图；以及

图5是示出马达装置的配置示例的图。

具体实施方式

在本说明书中，MOSFET是指场效应晶体管，该场效应晶体管中栅极被构造为具有至少三层：“电导体层或者半导体(诸如具有低电阻值的多晶硅)层”、“绝缘层”和“P型、N型或者本征半导体层”。换言之，MOSFET的栅极的结构不限于由金属层、氧化物层和半导体层构成的三层结构。