[发明专利]具有集成式温度传感器及加热器的体声波装置在审
申请号: | 202180070136.8 | 申请日: | 2021-10-04 |
公开(公告)号: | CN116349012A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | K·S·马丁;严廷达 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成 温度传感器 加热器 声波 装置 | ||
1.一种声波装置,其包括:
第一电极,其位于衬底上方;
压电层,其位于所述第一电极上方;
第二电极,其位于所述压电层上方且与所述第一电极至少部分地重叠;及
温度传感器,其与所述第一或第二电极位于同一层级中。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述温度传感器及所述第二电极中的每一者包含钼、铂或铝中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述温度传感器包含:
电阻部件,其具有第一端及第二端且包含位于所述第一与第二端之间的多个线区段。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述电阻部件在所述第一与第二端之间沿循蛇形路径。
5.根据权利要求3所述的装置,其中所述多个线区段的线区段群组平行于所述第二电极的一侧且在所述装置的操作期间充当谐振限制器。
6.根据权利要求5所述的装置,其中:
所述第一及第二电极以及所述压电层经配置以产生具有波长的声波,且所述线区段群组中的每一线区段具有约等于所述波长的一半的线宽度;且
所述线区段群组中的最近邻线区段之间的分隔距离约等于所述波长的一半。
7.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括位于所述第二电极与所述压电层之间的频率热系数(TCF)介电层。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述TCF介电层具有在约20nm与约35nm之间的范围内的厚度。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述温度传感器与所述第一及第二电极中的一者形成于同一层中,且所述装置进一步包括与所述第一及第二电极中的另一者位于同一层中的加热器。
10.根据权利要求9所述的装置,其进一步包括经配置以响应于所述温度传感器的温度相依性质而控制所述加热器的控制器。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述控制器经配置以控制所述加热器响应于所述温度相依性质而维持所述压电层的高温。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述高温是在约100℃与约165℃之间的范围内。
13.一种形成谐振器的方法,其包括:
在衬底上方由第一金属膜形成第一电极及第一电阻器;
在所述第一电极上方形成压电膜;
在所述第一电极上方由第二金属膜形成第二电极;及
由所述第二金属膜形成第二电阻器,
将控制器配置成通过响应于所述第一及第二电阻器中的第二者的电阻而将电流引导到所述第一及第二电阻器中的第一者来维持所述压电膜的操作温度,所述温度高于所述谐振器的所规定最大周围环境温度。
14.根据权利要求13所述的方法,其中在所述压电膜维持在所述操作温度时,所述谐振器的谐振频率改变不到约±1ppm。
15.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括在所述压电膜与所述第二电极之间形成具有在约20nm与约35nm之间的范围内的厚度的介电层。
16.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括在所述压电膜与所述第二电极之间形成具有在约20nm与约35nm之间的范围内的厚度的的氧化硅层。
17.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括形成所述第一或所述第二电阻器的第一及第二电源端子,其中所述第一与第二电源端子是直接近邻的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的