[发明专利]聚碳硅氮烷及含有它的组合物以及使用其的含硅膜的制造方法

权利要求书

1.一种聚碳硅氮烷，其包含由下式(1)表示的重复单元和由下式(2)表示的重复单元，

其中R¹、R²和R³各自独立地为单键、氢或C_1-4烷基，R⁴、R⁵和R⁶各自独立地为单键或氢，条件是当R¹、R²、R⁴和R⁵为单键时，R¹、R²、R⁴和R⁵与其他重复单元中所含的N键合，并且当R³和R⁶为单键时，R³和R⁶与其他重复单元中所含的Si键合，并且n和m分别独立地为1～3。

2.根据权利要求1所述的聚碳硅氮烷，其中，所述聚碳硅氮烷的分子中所含的C原子数相对于Si原子数的比率为5～250％，优选为5～120％，更优选为8～50％。

3.根据权利要求1或2所述的聚碳硅氮烷，其中，在¹H-NMR光谱中，1.7～2.2ppm的面积强度与1.7～2.2ppm的面积强度和1.0～1.6ppm的面积强度之和的比为0.05～0.5。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的聚碳硅氮烷，其中，通过凝胶渗透色谱法测定的聚苯乙烯换算的质均分子量为1,500～25,000。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的聚碳硅氮烷，其中，所述聚碳硅氮烷为全氢聚碳硅氮烷。

6.一种组合物，其含有权利要求1～5中任一项所述的聚碳硅氮烷以及溶剂。

7.根据权利要求6所述的组合物，其中，所述溶剂为从由芳香族化合物、饱和烃化合物、不饱和烃化合物、醚化合物、酯化合物和酮化合物所组成的群组中选出的至少一种。

8.根据权利要求6或7所述的组合物，其中，基于所述组合物的总质量，所述组合物包含1～50质量％的聚碳硅氮烷。

9.一种含硅膜的制造方法，其包括使用权利要求6～8中任一项所述的组合物在基板上方形成涂膜，以及加热所述涂膜。

10.根据权利要求9所述的制造含硅膜的方法，其中，所述加热在氧化气氛下进行。

11.根据权利要求9所述的制造含硅膜的方法，其中，所述加热在非氧化气氛下进行。

12.一种含硅膜，其通过权利要求9～11中任一项所述的方法得到。

13.一种电子器件的制造方法，包括权利要求9～11中任一项所述的方法。