[发明专利]摄像装置

说明书

摄像装置具备：第1光电转换部，将光转换为电荷；第1电荷积蓄部，积蓄所述电荷；第1电容器；输出电路，与所述第1电容器电连接；以及第1插入晶体管，具有栅极电极、源极及漏极。所述第1电荷积蓄部与所述栅极电极、以及所述源极及所述漏极中的一方电连接。通过所述第1插入晶体管成为导通，所述第1电荷积蓄部与所述第1电容器被电连接。

技术领域

本公开涉及摄像装置。

背景技术

以往提出了各种摄像装置。例如，在专利文献1及2中，记载了使用光电二极管作为光电转换部的摄像装置。在专利文献3中，记载了在1个像素内设置有2个光电二极管的摄像装置。

有时也采用将具有光电转换层的光电转换部配置在半导体基板的上方的构造。具有这样的构造的摄像装置被称为层叠型的摄像装置。在专利文献4中，记载了层叠型的摄像装置的一例。具体而言，在专利文献4中，在1个像素内设置有2个具有光电转换层的光电转换部。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-253876号公报

专利文献2：日本特许第4317115号

专利文献3：国际公布第2016/147885号

专利文献4：日本特开2018-117347号公报

发明内容

本发明所要解决的课题

本公开提供适于抑制与光量的降低相伴的信噪比(SN比)的降低的技术。

用于解决课题的手段

本公开提供摄像装置，具备：

第1光电转换部，将光转换为电荷；

第1电荷积蓄部，积蓄所述电荷；

第1电容器；

输出电路，与所述第1电容器电连接；以及

第1插入晶体管，具有栅极电极、源极及漏极。

所述第1电荷积蓄部与所述栅极电极、以及所述源极及所述漏极中的一方电连接。通过所述第1插入晶体管成为导通，所述第1电荷积蓄部与所述第1电容器被电连接。

发明效果

本公开所涉及的技术适于抑制与光量的降低相伴的SN比的降低。

附图说明

图1是示意性地表示摄像装置的构造的一例的框图。

图2是表示第1信号处理电路及第2信号处理电路的示意图。

图3是表示第1实施方式所涉及的像素的电路构成的一例的示意图。

图4是表现摄像装置的动作的定时图。

图5A是表示第1电荷积蓄部的电势、第1插入晶体管的栅极下电势及第1部分的电势的说明图。

图5B是表示第1电荷积蓄部的电势、第1插入晶体管的栅极下电势及第1部分的电势的说明图。

图5C是表示第1电荷积蓄部的电势、第1插入晶体管的栅极下电势及第1部分的电势的说明图。

图6是表现第2像素信号、第1像素信号及第3像素信号相对于向摄像装置入射的光的光量的关系的曲线图。

图7是表现第2SN比、第1SN比及第3SN比相对于向摄像装置入射的光的光量的关系的曲线图。

图8是表示参考方式的摄像装置的像素的电路构成的示意图。