[发明专利]发光二极管器件

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)器件，包括：

包括半导体层的台面，所述半导体层包括n型层、有源层和p型层，所述台面具有顶表面和至少一个侧壁，所述至少一个侧壁限定了具有底表面的沟槽；

在所述至少一个侧壁上和在所述台面的顶表面上的钝化层，所述钝化层包括一种或多种低折射率材料和分布式布拉格反射器(DBR)；

在所述台面的顶表面上的p型接触；和

在所述沟槽的底表面上的n型接触。

2.根据权利要求1所述的LED器件，其中所述钝化层包括低折射率材料。

3.根据权利要求2所述的LED器件，其中所述钝化层的厚度至少为2nm。

4.根据权利要求2所述的LED器件，其中所述低折射率材料的折射率在从约1至约2.2的范围内。

5.根据权利要求4所述的LED器件，其中所述低折射率材料包括从由氧化硅(SiO₂)、氟化镁(MgF₂)、氟化锂(LiF)、多孔氧化硅(SiO_x)、多孔氮氧化硅(SiON)、多孔氮化硅(SiN)、多孔氧化钛(TiO_x)、多孔氧化铝(AlO_x)、多孔氧化铪(HfO_x)、多孔氧化铌(NbO_x)、多孔铝铟镓氮化物(AlInGaN)和多孔铝铟镓磷化物(AlInGaP)组成的组中选择的材料。

6.根据权利要求1所述的LED器件，其中所述钝化层包括分布式布拉格反射器(DBR)。

7.根据权利要求6所述的LED设备，其中所述分布式布拉格反射器(DBR)的厚度至少为0.2微米。

8.根据权利要求1所述的LED器件，还包括在所述钝化层和所述台面之间的电钝化层。

9.根据权利要求8所述的LED器件，其中所述电钝化层包括氮化硅(SiN)、氧化钛(TiO₂)、氧化铌(NbO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铪(HfO₂)、氮化铝(AlN)、二氧化硅(SiO₂)和掺铪二氧化硅(HfSiO₂)中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的LED器件，其中所述半导体层是厚度至少为1微米的外延半导体层。

11.一种制造发光二极管(LED)器件的方法，包括：

在衬底上沉积多个半导体层，所述多个半导体层包括n型层、有源层和p型层；

蚀刻所述半导体层的一部分以形成限定像素的至少一个沟槽和至少一个台面，所述至少一个台面包括所述半导体层、顶表面和至少一个侧壁；

在所述至少一个侧壁上和在所述至少一个台面的顶表面上沉积钝化层，所述钝化层包括一种或多种低折射率材料和分布式布拉格反射器(DBR)；

在所述至少一个台面的顶表面上形成p型接触；和

在所述至少一个沟槽中形成n型接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述钝化层包括低折射率材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述钝化层具有至少2nm的厚度。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述低折射率材料的折射率在从约1至约2.2的范围内。