[发明专利]用于通过在衬底表面上沉积底层、扩散阻挡层和顶层来制备电镀产品的方法以及这样制备的电镀产品

权利要求书

1.通过在衬底表面上沉积底层、扩散阻挡层和顶层来制备电镀产品的方法，所述方法包括以下步骤：

a)在包含铜或具有铜涂层的表面上从第一电解质沉积包含选自Au、Ag、Pd、Rh、Ru、Pt及其合金的第一贵金属或由其组成的底层，所述第一电解质包含至少一种所述相应贵金属离子源和至少一种导电盐，

b)用包含至少一种铟离子源和至少一种导电盐的水性电镀浴在所述底层上沉积扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层防止所述衬底和所述顶层之间的相互扩散，

c)用第二电解质在所述扩散阻挡层上沉积包含选自Au、Ag、Pd、Rh、Ru、Pt及其合金的第二贵金属或由其组成的顶层，所述第二电解质包含至少一种所述相应贵金属离子源和至少一种导电盐。

2.用于制备根据权利要求1所述的电镀产品的方法，

其特征在于步骤b)中的所述水性电镀浴具有在1至14，优选地2至11，还更优选4至10的范围内的pH。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备电镀产品的方法，

其特征在于步骤b)的所述水性电镀浴中的所述至少一种铟离子源选自硫酸铟、氯化铟、乙酸铟、氨基磺酸铟以及它们的组合或混合物。

4.根据前述权利要求中任一项所述的用于制备电镀产品的方法，

其特征在于所述至少一种铟离子源在所述水性电镀浴中的浓度优选地为0.1g/L至20g/L，更优选地0.2g/L至15g/L，甚至更优选地0.3g/L至10g/L，并且最优选地0.5g/L至10g/L。

5.根据前述权利要求中任一项所述的用于制备电镀产品的方法，

其特征在于步骤a)至c)的顺序不被另外的沉积步骤中断，结果是在步骤a)至c)中沉积的所述层彼此邻接，优选地彼此直接邻接。

6.根据前述权利要求中任一项所述的用于制备电镀产品的方法，

其特征在于步骤a)的所述电镀浴中的至少一种所述贵金属离子源是Au离子、Ag离子以及它们的组合的至少一种来源。

7.根据前述权利要求中任一项所述的用于制备电镀产品的方法，

其特征在于步骤c)的所述电镀浴中的至少一种所述贵金属离子源选自Au、Ag、Pd、Pt以及它们的组合的至少一种离子源，优选地Au、Ag及其合金的至少一种离子源。

8.电镀产品，所述电镀产品包括包含铜或具有铜涂层的衬底，在所述衬底上沉积包含选自Au、Ag、Pd、Rh、Ru、Pt及其合金的贵金属或由其组成的底层以及包含选自Au、Ag、Pd、Rh、Ru、Pt及其合金的贵金属或由其组成的顶层，

其特征在于所述底层和所述顶层通过扩散阻挡层隔开，所述扩散阻挡层包含铟或铟与所述顶层材料的合金或由其组成，所述扩散阻挡层防止所述底层和所述顶层之间的相互扩散。

9.根据权利要求8所述的电镀产品，

其特征在于所述扩散阻挡层具有1nm至500nm，优选地25nm至300nm，还更优选地50nm至250nm的厚度。

10.根据权利要求8或9所述的电镀产品，

其特征在于所述底层具有10nm至500nm，优选地25nm至400nm，还更优选地40nm至300nm的厚度。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电镀产品，其特征在于所述顶层具有1nm至500nm，优选地3nm至400nm，还更优选地5nm至300nm的厚度。

12.根据前述权利要求中任一项所述的电镀产品，其特征在于所述顶层包含选自Au、Ag、Pd、Pt及其合金，优选地选自Au、Ag及其合金的贵金属，或由其组成。

13.根据前述权利要求中任一项所述的电镀产品，其特征在于所述底层包含金或金合金或由其组成。