[发明专利]固态摄像装置在审
申请号: | 202180074178.9 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN116406478A | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 越河英一郎;田代睦聡 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈睆;姚鹏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 | ||
1.一种固态摄像装置,其包括:
第一半导体层,其具有第一导电型的第一化合物半导体材料;
光电转换层,其配置在所述第一半导体层上;
第二导电型的第二半导体层,其部分地配置在所述光电转换层上,并且配置成与所述光电转换层接触;以及
元件分离层,其以像素为单位分离所述第一半导体层、所述光电转换层和所述第二半导体层,
所述像素具有灵敏度和尺寸不同的多个子像素。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,
所述第二半导体层具有多个阱区域,所述多个阱区域与所述多个子像素的每一者对应,并且各自分离,
所述多个阱区域各自的尺寸不同。
3.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,
在沿着所述第二半导体层的层叠方向俯视时,所述多个阱区域各自的面积不同。
4.根据权利要求3所述的固态摄像装置,其中,
所述多个阱区域各自的平面尺寸不同。
5.根据权利要求4所述的固态摄像装置,其中,
所述多个阱区域朝向一致地配置在对应的所述像素内。
6.根据权利要求4所述的固态摄像装置,其中,
所述多个阱区域以各自不同的朝向配置在对应的所述像素内。
7.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其包括:
遮光层,其配置于所述元件分离层的至少一部分。
8.根据权利要求7所述的固态摄像装置,其中,
所述遮光层配置在所述像素的边界位置。
9.根据权利要求7所述的固态摄像装置,其中,
所述遮光层配置在所述像素内的所述多个子像素各自的边界位置。
10.根据权利要求7所述的固态摄像装置,其中,
在沿着所述第二半导体层的层叠方向俯视时,所述遮光层配置成围绕所述多个子像素的每一者。
11.根据权利要求10所述的固态摄像装置,其中,
所述像素内的被所述遮光层围绕的所述多个子像素在沿着层叠方向被俯视时各自的面积不同。
12.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其包括:
遮光层,其配置在所述像素内的所述多个子像素各自的边界位置,
其中,所述多个阱区域是由所述遮光层分离的区域。
13.根据权利要求12所述的固态摄像装置,其中,
所述像素内的被所述遮光层划分的所述多个子像素在沿着层叠方向被俯视时各自的面积不同,并且
所述像素内的所述多个阱区域在沿着层叠方向被俯视时的面积均相等。
14.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,
所述像素内的所述多个子像素的所述光电转换层针对每个子像素分别包含不同的材料。
15.根据权利要求14所述的固态摄像装置,其中,
所述材料包含InGaAs或CuInGaSe2。
16.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其包括:
第三半导体层,所述第三半导体层配置在所述光电转换层上,并且具有所述第一导电型的第二化合物半导体材料,
其中,所述第二半导体层配置在所述第三半导体层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的