[发明专利]漂移和噪声校正的忆阻器件在审

专利信息
申请号: 202180075252.9 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN116507880A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: G·S·塞耶德;B·克斯廷;A·塞巴斯蒂安 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G01C13/00 分类号: G01C13/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 美国纽*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 漂移 噪声 校正 器件
【说明书】:

一种忆阻器存储器器件(100),包括忆阻式存储器单元(102)、输入端子(104)、输出端子(108)和栅极端子(112)。输入端子(104)和输出端子(108)直接附接到忆阻式存储器单元(102),并且栅极端子(112)与忆阻式存储器单元(102)电隔离。栅极端子(112)被配置成用于接收用于忆阻式存储器单元(102)的电导的易失性调制的电信号,通过该易失性调制,实现了忆阻器存储器器件(100)的非理想电导调制的校正。

背景技术

本文公开了一种包括忆阻式存储器单元的忆阻器存储器器件。更具体地,本发明涉及一种用于操作包括忆阻式存储器单元的忆阻器存储器器件的方法。

多级单元(MLC)存储是用于在存储器技术中实现增加的容量以及因此更低的每比特成本的典型方式。为此,相变存储器(PCM)是一种新的固态存储器技术,其利用(例如)用于非易失性数据存储的硫族化物组件的热致电阻率变化。PCM拥有某些特征,诸如高循环耐久性、低读/写等待时间和优异的可扩展性,其使得PCM成为令人感兴趣的候选者,不仅用于扩展并最终替换现任闪存,而且用于实现未来计算系统中的破坏性改变。后者源于PCM由于其通用特性而作为存储(非易失性、廉价、高容量)以及存储器(快速、耐用)两者起反应的潜在能力。

发明内容

根据本文所公开的一个方面,可以提供包括忆阻式存储器单元的忆阻器存储器器件。忆阻式存储器器件可以包括输入端子、输出端子和栅极端子。输入端子和输出端子可以直接附接到忆阻式存储器单元,并且栅极端子可以与忆阻式存储器单元电隔离。栅极端子可以被配置成用于接收用于忆阻式存储器单元的电导的易失性调制的电信号。由此,可以校正忆阻器存储器器件的非理想电导调制。

根据本文中公开的另一方面,可以提供一种用于操作包括忆阻式存储器单元的忆阻器存储器器件的方法。忆阻器存储器器件可以包括输入端子、输出端子和栅极端子,其中输入端子和输出端子可以直接附接到忆阻式存储器单元。栅极端子可以与忆阻式存储器单元电隔离。该方法可以进一步包括提供用于忆阻式存储器单元的电导的易失性调制的电信号。由此,可以校正忆阻器存储器器件的非理想电导调制。

附图说明

参考不同的主题描述本发明的实施例。具体地,参照方法类型权利要求描述一些实施例,而参照装置类型权利要求描述其他实施例。然而,本领域的技术人员将从以上和以下描述中得出,除非另外指出,否则除了属于一种类型的主题的特征的任何组合之外,涉及不同主题的特征之间(具体地,方法类型权利要求的特征与装置类型权利要求的特征之间)的任何组合也被认为是在本文档内披露的。

以上定义的方面和各种实施例的其他方面从在下文中描述的实施例的示例显而易见,并且参考实施例的示例来解释,但是本发明不限于此。各种实施例可被描述为具有某些优点,然而,一些实施例可不具有这些潜在优点并且这些潜在优点并非所有实施例所必须的。

实施例将仅通过举例的方式并且参考以下附图进行描述:

图1是根据一些实施例的包括忆阻式存储器单元的本发明忆阻器存储器器件的实施例的框图。

图2是根据一些实施例的所提出的系统和方法的功能原理的框图。

图3是根据一些实施例的具有忆阻器存储器器件的交叉式阵列的实施例的框图。

图4是根据一些实施例的具有温度噪声及电阻漂移补偿装置的交叉式阵列的实施例的框图。

图5是根据一些实施例的所提出的系统和方法的第一实验证据的图示。

图6是根据一些实施例的所提出的系统和方法的第二实验证据的图示。

图7是根据一些实施例的用于操作包括忆阻式存储器单元的忆阻器存储器器件的方法的实施例的流程图。

具体实施方式

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