[发明专利]用于生产三维工件的设备

权利要求书

1.用于通过用电磁辐射或粒子辐射对原料粉末的层进行辐照来生产三维工件(46)的设备(10)，所述设备(10)包括：

加工室(16)，所述加工室容纳载体(12)和粉末施加装置(14)，所述粉末施加装置用于将原料粉末的层施加到所述载体(12)上；以及

辐照单元(26)，所述辐照单元用于根据待生产的工件(18)的对应层的几何形状来用电磁辐射或粒子辐射对所述原料粉末的层进行选择性地辐照，

其中，适于吸收辐射的吸收装置(50)在如下位置被设置在所述加工室(16)和/或所述辐照单元(26)中，该位置使得所述吸收装置能够吸收发生在所述加工室(16)的内部和/或所述辐照单元(26)的内部的辐射。

2.根据权利要求1所述的设备(10)，

-其中，所述吸收装置(50)的吸收表面(54)面向所述加工室(16)的内部和/或所述辐照单元(26)的内部；和/或

-其中，对于在范围从0.75μm至50μm的波长处和/或在用于对所述原料粉末的层进行选择性地辐照的电磁辐射或粒子辐射的波长，特别是范围从350nm至1100nm，优选地405nm至490nm、490nm至575nm和/或805nm至1100nm的波长处的辐射能量，所述吸收装置(50)的吸收表面(54)具有小于40％，优选地小于20％，更优选地小于10％和最优选地小于5％的半球反射率；和/或

-其中，所述吸收装置(50)的吸收表面(54)至少部分地被阳极氧化、涂覆、箔化、氧化、结构化和/或粗糙化，特别是被激光黑色标记。

3.根据权利要求1或2所述的设备(10)，

其中，适于反射辐射的反射装置(64)在如下位置被设置在所述加工室(16)和/或所述辐照单元(26)中，该位置使得所述反射装置能够反射发生在所述加工室(16)的内部和/或所述辐照单元(26)的内部的辐射。

4.根据权利要求3所述的设备(10)，

-其中，所述反射装置(64)的反射表面(68)面向所述加工室(16)的内部和/或所述辐照单元(26)的内部；和/或

-其中，对于在范围从0.75μm至50μm的波长处和/或在用于对所述原料粉末的层进行选择性地辐照的电磁辐射或粒子辐射的波长，特别是范围从350nm至1100nm，优选地405nm至490nm、490nm至575nm和/或805nm至1100nm的波长处的辐射能量，所述反射装置(64)的反射表面(68)具有大于60％，优选地大于70％，更优选地大于80％和最优选地大于90％的半球反射率；和/或

-其中，所述反射装置(64)的反射表面(68)至少部分地被结构化、箔化、涂覆和/或抛光。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备(10)，

其中，所述吸收装置(50)和所述反射装置(64)中的至少一个包含热导率至少为10W/(m*K)，优选地至少为50W/(m*K)，更优选地至少为100W/(m*K)的材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备(10)，

-其中，所述吸收装置(50)包括被布置在所述加工室(16)和/或所述辐照单元(26)中的至少一个独立的吸收元件(52c，52d)；和/或

-其中，所述反射装置(64)包括被布置在所述加工室(16)和/或所述辐照单元(26)中的至少一个独立的反射元件(66f，66g)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备(10)，

-其中，所述吸收装置(50)包括由加工室壁(58)的一部分和/或辐照单元外壳壁(60)的一部分限定的至少一个吸收元件(52a，52b，52c)；和/或

-其中，所述反射装置(64)包括由加工室壁(58)的一部分、所述辐照单元(26)的支撑结构(35)的一部分和/或辐照单元外壳壁(60)的一部分限定的至少一个反射元件(66a，66b，66c，66d，66e)。