[发明专利]加电时的媒体管理

说明书

一种方法包含：检测与包括具有与其相关联的存储器单元块的多个存储器单元块的存储器子系统相关联的加电事件；响应于检测到所述加电事件且在接收指示主机启动序列的信令之前，确定与所述多个存储器单元块当中的相应块相关联的存储器单元块是开放虚拟存储器单元块；确定与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应块展现大于阈值的健康特性值；以及响应于所述相应块展现大于所述阈值的健康特性值的所述确定而选择性地执行与所述开放虚拟存储器单元块相关联的相应存储器单元块的媒体管理操作。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更明确来说，涉及加电时的媒体管理。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

附图说明

从下文给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图将更加完全地理解本公开。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图2说明根据本公开的一些实施例的包含具有存储器单元块的存储器子系统的实例计算系统。

图3是根据本公开的一些实施例的对应于加电时的媒体管理的流程图。

图4是根据本公开的一些实施例的对应于用于加电时的媒体管理的方法的流程图。

图5是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面涉及加电时的媒体管理，特定来说，涉及包含加电时的媒体管理组件的存储器子系统。存储器子系统可为存储系统、存储装置、存储器模块或此类的组合。存储器子系统的实例是存储系统，例如固态驱动器(SSD)。下文结合图1以及其它描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含例如存储数据的存储器装置的一或多个组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储于存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。

存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例是“与非”(NAND)存储器装置(还称为快闪技术)。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可分组为逻辑单位(LUN)。针对一些类型的非易失性存储器装置(例如NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页面组成。每一页面由一组存储器单元(“若干单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。块在下文指代用于存储数据的存储器装置的单位且可包含一群组存储器单元、字线群组、字线或个别存储器单元。针对一些存储器装置，块(在下文还称为“存储器块”)是可被擦除的最小区域。页面无法被个别地擦除，且仅可擦除整个块。

存储器装置中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列。取决于单元类型，单元可被写入以便存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储位的数目相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”及“1”或此类值的组合的二进制值表示。存在各种类型的单元，例如单电平单元(SLC)、多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)及四电平单元(QLC)。举例来说，SLC可存储一个信息位且具有两种逻辑状态。

一些NAND存储器装置采用浮动栅极架构，其中基于位线与字线之间的相对电压变化来控制存储器存取。NAND存储器装置的其它实例可采用替换栅极架构，其可包含使用可允许基于用于构造字线的材料的性质将对应于数据值的电荷俘获于存储器单元内的字线布局。