[发明专利]使用独立多通道喷头的光刻胶沉积

权利要求书

1.一种在处理腔室中沉积光刻胶至基板上的方法，包含以下操作：

使氧化剂经由喷头中的第一路径流入所述处理腔室；

使有机金属经由所述喷头中的第二路径流入所述处理腔室，其中所述第一路径与所述第二路径隔离，以便所述氧化剂与所述有机金属不会在所述喷头内混合；和

其中所述氧化剂与所述有机金属在所述处理腔室中反应以在所述基板上沉积所述光刻胶。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂与所述有机金属在相同的时间流入所述处理腔室。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包含以下操作：

在第一时间段之后停止所述有机金属到所述处理腔室的流动，其中在所述第一时间段之后所述氧化剂继续流入所述处理腔室。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一时间段在大约0秒与大约60秒之间。

5.如权利要求3所述的方法，进一步包含以下操作：

在第二时间段后重新开始所述有机金属到所述处理腔室的所述流动，以便所述氧化剂和所述有机金属皆流入所述处理腔室，其中所述第二时间段在大约0秒与大约60秒之间。

6.如权利要求2所述的方法，进一步包含以下操作：

在第一时间段之后停止所述氧化剂到所述处理腔室的流动，其中在所述第一时间段之后所述有机金属继续流入所述处理腔室。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一时间段在大约0秒与大约60秒之间。

8.如权利要求6所述的方法，进一步包含以下操作：

在第二时间段后重新开始所述氧化剂到所述处理腔室的所述流动，以便所述氧化剂和所述有机金属皆流入所述处理腔室，其中所述第二时间段在大约0秒与大约60秒之间。

9.如权利要求1所述的方法，其中流动所述有机金属与流动所述氧化剂交替进行。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包含以下操作：

在流动所述有机金属与流动所述氧化剂的重复之间净化所述处理腔室。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下操作：

使第一惰性载气与所述氧化剂一起流过所述喷头中的所述第一路径；和

使第二惰性载气与所述有机金属一起流过所述喷头中的所述第二路径。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一惰性载气与所述第二惰性载气的流动速率在大约0.1slm与大约20slm之间，并且其中所述氧化剂与所述有机金属的流动速率在大约0.01克/分钟与大约4克/分钟之间。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂包含两种或更多种不同的氧化剂，和/或其中所述有机金属包含两种或更多种不同的有机金属。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述有机金属包含有机锡，并且其中所述氧化剂包含H₂O。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶的所述沉积的特征是化学气相沉积(CVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、等离子体增强CVD(PE-CVD)工艺或等离子体增强ALD(PE-ALD)工艺。