[发明专利]多层相变存储器件在审
| 申请号： | 202180076346.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116529823A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | K·W·布里;玉仁祚;韩金萍;T·M·菲利普;M·J·布莱特斯基;N·索尔尼尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 相变 存储 器件 | ||
1.一种相变存储器(PCM)单元，包括：
第一电极，包括第一导电材料；
第二电极，包括第二导电材料；
第一相变层，位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括第一相变材料；以及
位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括第二相变材料的第二相变层；
其中，所述第一相变材料具有第一电阻率；
其中，所述第二相变材料具有第二电阻率；以及
其中，所述第一电阻率为所述第二电阻率的至少两倍。
2.根据权利要求1所述的PCM单元，进一步包括：
与所述第一相变层和所述第二电极接触的第三相变层，所述第三相变层包括第三相变材料；
其中，所述第三相变材料具有第三电阻率；以及
其中，所述第一电阻率为所述第三电阻率的至少两倍。
3.根据权利要求2所述的PCM单元，其中，所述第三相变层进一步包括掺杂剂材料。
4.根据权利要求1所述的PCM单元，其中，所述第一相变层进一步包括掺杂剂材料。
5.根据权利要求4所述的PCM单元，其中，所述第二相变材料包括所述第二相变材料。
6.根据权利要求1所述的PCM单元，其中，所述第二相变层与所述第一电极和所述第二电极接触。
7.根据权利要求1所述的PCM单元，进一步包括：
投影衬垫，其定位在所述第一电极与所述第二电极之间且包括半导体材料。
8.根据权利要求7所述的PCM单元，其中，所述投影衬垫与所述第一电极和所述第二相变层接触。
9.一种相变存储器(PCM)单元，包括：
第一电极，包括第一导电材料；
第二电极，包括第二导电材料；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一相变层，所述第一相变层具有第一厚度并且包括第一相变材料；以及
位于所述第一电极和所述第二电极之间的第二相变层，所述第二相变层具有第二厚度并且包括第二相变材料；
其中，所述第二厚度小于所述第一厚度的四分之一。
10.根据权利要求9所述的PCM单元，进一步包括：
与所述第一相变层和所述第二电极接触的第三相变层，所述第三相变层具有第三厚度并且包括第三相变材料；
其中，所述第三厚度小于所述第一厚度的四分之一。
11.根据权利要求9所述的PCM单元，其中，所述第三相变层进一步包括掺杂剂材料。
12.根据权利要求9所述的PCM单元，其中，所述第一相变层进一步包括掺杂剂材料。
13.根据权利要求12所述的PCM单元，其中，所述第二相变层基本上包括未掺杂的所述第二相变材料。
14.根据权利要求9所述的PCM单元，其中：
所述第一相变层具有第一电阻率；
所述第二相变层具有第二电阻率；以及
该第一电阻率是该第二电阻率的至少两倍。
15.根据权利要求9所述的PCM单元，其中，所述第二相变层与所述第一电极和所述第二电极接触。
16.根据权利要求9所述的PCM单元，进一步包括：
投影衬垫，其定位在所述第一电极与所述第二电极之间且包括半导体材料。
17.根据权利要求17所述的PCM单元，其中，所述投影衬垫与所述第一电极和所述第二相变层接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180076346.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有覆盖罩的可调节的装配位置的家具配件
- 下一篇：温控阀和温控阀联接体
