[发明专利]低噪声压电传感器

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一导电层；

第二导电层；以及

在所述第一导电层与所述第二导电层之间的压电层，所述压电层包括小于约0.1％的耗散因子。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述压电层包括氮化铝钪，所述氮化铝钪具有大于15％的钪含量，其中所述钪含量和铝含量构成100％的所述氮化铝钪。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述压电层包括氮化铝钪，所述氮化铝钪具有大于30％的钪含量，其中所述钪含量和铝含量构成100％的所述氮化铝钪。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述压电层包括d₃₁耦合系数，所述d₃₁耦合系数具有大于约3.68pC/N的绝对值。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其中所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一者包括具有小于100nm的厚度的金属层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中所述压电层包括第一压电层，所述器件还包括：

第三导电层；以及

在所述第二导电层与所述第三导电层之间的第二压电层，所述第二压电层具有小于约0.1％的耗散因子。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其中所述器件包括麦克风、加速度计、压力传感器、扬声器、超声发射器或超声接收器。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的器件，其中所述器件包括悬臂。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的器件，其中所述第一导电层沉积在粘合层上。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述粘合层包括钛、氮化铝钪、氮化铝或铬。

11.一种器件，包括：

第一导电层；

第二导电层；以及

在所述第一导电层与所述第二导电层之间的压电层，所述压电层包括具有大于15％的钪含量的氮化铝钪，其中所述钪含量和铝含量构成100％的所述氮化铝钪。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述压电层包括具有大于30％的钪含量的氮化铝钪，其中所述钪含量和铝含量构成100％的所述氮化铝钪。

13.根据权利要求11至12中任一项所述的器件，其中所述压电层包括小于约0.1％的耗散因子。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的器件，其中所述压电层包括d₃₁耦合系数，所述d₃₁耦合系数具有大于约3.68pC/N的绝对值。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的器件，其中所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一者包括具有小于100nm的厚度的金属层。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的器件，其中所述压电层包括第一压电层，所述器件还包括：

第三导电层；以及

在所述第二导电层与所述第三导电层之间的第二压电层，所述第二压电层具有小于约0.1％的耗散因子。

17.根据权利要求11至16中任一项所述的器件，其中所述器件包括麦克风、加速度计、压力传感器、扬声器、超声发射器或超声接收器。

18.根据权利要求11至17中任一项所述的器件，其中所述器件包括悬臂。