[发明专利]包括低折射率涂层和辐射改性层的器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，所述半导体器件包括：

至少一个(较)低折射率涂层，所述至少一个(较)低折射率涂层设置在第一层表面上；

至少一个电磁(EM)辐射改性层，所述至少一个EM辐射改性层嵌入在所述至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构，所述至少一种颗粒结构包括沉积材料；其中将所述至少一个EM辐射改性层的所述至少一种颗粒结构嵌入在所述至少一个(较)低折射率涂层内修改了所述至少一个EM辐射改性层的针对EM辐射的吸收光谱，所述EM辐射在所述EM光谱的至少一部分中以相对于所述至少一个EM辐射改性层中的所述侧向朝向的非零角度至少部分地穿过所述至少一个EM辐射改性层。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述至少一个(较)低折射率涂层包括设置在所述第一层表面和所述至少一个EM辐射改性层之间的下部和设置在所述至少一个EM辐射改性层上的上部。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述下部包括第一(较)低折射率涂层，并且所述第二部分包括第二(较)低折射率涂层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，还包括设置在与所述多个(较)低折射率涂层的暴露层表面的折射率界面处的较高折射率介质，使得所述EM辐射改性层设置在所述折射率界面和所述第一层表面之间。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述较高折射率介质包括有机化合物。

6.根据权利要求4或5所述的器件，其中所述较高折射率介质包括所述器件的封盖层。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的器件，还包括设置在所述较高折射率介质之外的气隙。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的器件，其中所述较高折射率介质包括沉积在所述折射率界面上的较高折射率层。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的器件，其中所述较高折射率介质是基本上透明的。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的器件，其中所述较高折射率介质包括氟化锂(LiF)。

11.根据权利要求4至10中任一项所述的器件，其中在所述EM光谱的可见范围的至少一个子范围中，所述较高折射率介质的消光系数为不大于约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的至少一者。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的器件，其中所述EM辐射改性层包括所述至少一个颗粒簇的不连续层。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的器件，其中所述第一(较)低折射率涂层由第一低折射率材料组成，并且所述第二(较)低折射率涂层由第二低折射率材料组成。

14.根据权利要求13所述的器件，其中所述第一低折射率材料和所述第二低折射率材料是相同的。

15.根据权利要求13或14所述的器件，其中以下中的至少一者具有为不大于约1.7、1.6、1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25中的至少一者的折射率：所述第一(较)低折射率涂层和所述第一低折射率材料中的至少一者以及所述第二(较)低折射率涂层和所述第二低折射率材料中的至少一者。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的器件，其中以下中的至少一者具有为约1.2-1.6、1.2-1.5、1.25-1.45和1.25-1.4之间的至少一者的折射率：所述第一(较)低折射率涂层和所述第一低折射率材料中的至少一者以及所述第二(较)低折射率涂层和所述第二低折射率材料中的至少一者。