[发明专利]使用静态磁场的等离子体均匀性控制

权利要求书

1.一种对晶片进行等离子体处理的系统，其包括：

室，其被配置为接收晶片以进行等离子体处理并且具有限定等离子体处理区域的内部，在所述等离子体处理区域中提供等离子体以对所述晶片进行所述等离子体处理；

第一磁性线圈，其被设置在所述室上方并以垂直于所述晶片的表面平面且穿过所述晶片的近似中心的轴为中心；

第一直流电源，其被配置为在所述等离子体处理期间将第一直流电流施加到所述第一磁性线圈，所施加的所述第一直流电流在所述等离子体处理区域中产生减少所述等离子体不均匀性的磁场。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述磁场被配置为基本上竖直穿过所述等离子体处理区域的中心区域。

3.根据权利要求2所述的系统，其中穿过所述等离子体处理区域的所述中心区域的磁场具有小于大约10高斯的强度。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述磁场被配置为降低由所述等离子体处理执行的蚀刻的径向不均匀性。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一磁性线圈的形状基本上是环形的。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一磁性线圈沿着平行于所述晶片的所述表面平面的水平平面定向。

7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一磁性线圈的内径在约15到20英寸的范围内。

8.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一磁性线圈包括多匝磁线。

9.根据权利要求1所述的系统，其还包括：

第二磁性线圈，其被设置在所述室上方，所述第二磁性线圈与所述第一磁性线圈同心；

第二直流电源，其被配置为在所述等离子体处理期间将第二直流电流施加到所述第二磁性线圈，所施加的所述第二直流电流有助于在所述等离子体处理区域中产生减少所述等离子体不均匀性的所述磁场。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述第二磁性线圈基本上沿与所述第一磁性线圈相同的水平平面定向。

11.根据权利要求9所述的系统，其中，所述第一直流电流和所述第二直流电流被配置为具有相同的幅值或不同的幅值。

12.根据权利要求9所述的系统，其中，所述第一直流电流和所述第二直流电流被配置为以相同方向或相反方向施加。

13.根据权利要求9所述的系统，

其中，所述第一磁性线圈的内径在大约10至15英寸的范围内；以及，

其中，所述第二磁性线圈的内径在大约15至25英寸的范围内。

14.根据权利要求1所述的系统，其还包括：

第二磁性线圈，其被配置为横向地围绕所述等离子体处理区域；

第二直流电源，其被配置为在所述等离子体处理期间将第二直流电流施加到所述第二磁性线圈，所施加的所述第二直流电流有助于在所述等离子体处理区域中产生减少所述等离子体不均匀性的所述磁场。

15.根据权利要求1所述的系统，其还包括：

第二磁性线圈，其被设置在所述等离子体处理区域下方；

第二直流电源，其被配置为在所述等离子体处理期间将第二直流电流施加到所述第二磁性线圈，所施加的所述第二直流电流有助于在所述等离子体处理区域中产生减少所述等离子体不均匀性的所述磁场。