[发明专利]含硅膜的蚀刻方法和包括其的半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202180079586.3 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN116569306A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郭正勋;权柄香;曹榕浚;权奇清;金佑宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开新材料有限公司;光云大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含硅膜 蚀刻 方法 包括 半导体 装置 制造 | ||
1.一种含硅膜的蚀刻方法，包括：
将包括第一含硅膜和第二含硅膜的基板引入到蚀刻装置的工艺腔室中的步骤；
供应包括F3NO的至少一种蚀刻气体至所述工艺腔室的步骤；
通过将预定的功率施加到保持在预定的压力下的所述工艺腔室来在所述工艺腔室中生成直接等离子体的步骤；以及
利用通过所述直接等离子体激活的蚀刻气体的自由基蚀刻所述基板上的所述第一含硅膜的步骤，
其中，所述预定的压力设置在其中相对于压力的所述第一含硅膜的蚀刻速率的斜率与相对于压力的所述第二含硅膜的蚀刻速率的斜率为符号不同的预定范围内。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第一含硅膜为氮化硅膜，且所述第二含硅膜为氧化硅膜。
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，所述预定的压力被设置为大于其中相对于压力的氮化硅膜的蚀刻速率的斜率为正且相对于压力的氧化硅膜的蚀刻速率的斜率为负的范围内的中间值的值。
4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，所述预定的压力在1mTorr至10Torr的范围内。
5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其中，所述预定的压力大于或等于200mTorr且小于或等于270mTorr。
6.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，所述预定的功率在大于或等于10W且小于或等于50,000W的范围内。
7.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，所述预定的功率大于或等于240W且小于或等于320W。
8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述刻蚀装置为直接电容耦合等离子体装置。
9.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述蚀刻气体还包括含有氢原子的控制气体。
10.一种半导体装置的制造方法，包括：
在基板上形成包括第一含硅膜和第二含硅膜的含硅膜的沉积步骤；以及
使用根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻方法蚀刻含硅膜的蚀刻步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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