[发明专利]气体分析装置及气体分析方法

权利要求书

1.一种气体分析装置，其特征在于，对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：

气体池，其导入有所述材料气体或所述副生成气体；

激光光源，其向所述气体池照射经波长调制的激光；

光检测器，其检测透过所述气体池的激光；以及

信号处理部，其使用由所述光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出所述卤化物的浓度或分压，

所述气体池减压至比大气压小的预定的压力，

所述激光光源在包含所述卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。

2.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，

所述卤化物为SiF₄，

所述波长调制范围以其波数宽度包含1030.5cm^-1～1031.5cm^-1的一部分或全部的方式设定。

3.根据权利要求2所述的气体分析装置，其特征在于，

所述波长调制范围以其波数宽度包含1029cm^-1～1032cm^-1的一部分或全部的方式设定。

4.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，

所述卤化物为CF₄，

所述波长调制范围以其波数宽度包含1282.5cm^-1～1283.5cm^-1的一部分或全部的方式设定。

5.根据权利要求4所述的气体分析装置，其特征在于，

所述波长调制范围以其波数宽度包含1281.5cm^-1～1284.5cm^-1的一部分或全部的方式设定。

6.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，

所述卤化物为SiF₄和CF₄，

所述激光光源具有：

第一激光光源，其以所述波长调制范围的波数宽度包含1030.5cm^-1～1031.5cm^-1的一部分或全部的方式设定；以及

第二激光光源，其以所述波长调制范围的波数宽度包含1282.5cm^-1～1283.5cm^-1的一部分或全部的方式设定。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的气体分析装置，其特征在于，

所述信号处理部通过光谱解析修正干扰成分对所述卤化物的光吸收信号的影响，计算出所述卤化物的浓度或分压。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的气体分析装置，其特征在于，

所述气体池在内部设置有一对反射镜，对所述激光进行多重反射。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的气体分析装置，其特征在于，

所述气体分析装置具有加热机构，所述加热机构将所述气体池加热。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的气体分析装置，其特征在于，

所述气体分析装置具有压力传感器，所述压力传感器测定所述材料气体或所述副生成气体的压力。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的气体分析装置，其特征在于，

所述气体池设置于进行半导体制造工艺的腔室或连接于该腔室的配管。

12.根据权利要求11所述的气体分析装置，其特征在于，

在所述配管设置有对所述腔室进行真空抽吸的真空泵，

所述气体池设置于比所述真空泵更靠所述腔室侧的位置。