[发明专利]相变存储器单元

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

被电介质层包围的加热器；

在所述加热器的顶部部分上的投射衬垫，所述投射衬垫覆盖所述加热器的顶表面；

位于所述投射衬垫上方的相变材料层，所述投射衬垫将所述相变材料层与所述电介质层和所述加热器分隔开；以及

围绕所述相变材料层的顶部部分的顶部电极触点，所述顶部电极触点通过金属衬垫与所述相变材料层分隔开。

2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：

在所述加热器下方并与所述加热器电接触的底部电极；以及

在所述相变材料层上方并且与所述相变材料层电接触的顶部电极。

3.根据权利要求2所述的结构，进一步包括：

在所述顶部电极上方并与所述顶部电极直接接触的掩模层；以及

在所述底部电极下方并与所述底部电极电接触的底部电极触点。

4.根据前述权利要求中任一项所述的结构，其中所述相变材料层包括结晶相和无定形相，其中所述无定形相在所述加热器的正上方。

5.根据权利要求4所述的结构，其中所述投射衬垫在所述相变材料层的所述结晶相和所述无定形相中提供平行传导路径。

6.根据前述权利要求中任一项所述的结构，其中所述顶部电极触点是环绕环形类型的顶部电极触点。

7.根据权利要求1所述的结构，其中所述顶部电极触点沿着所述相变材料层的侧壁竖直延伸。

8.一种半导体结构，包括：

由电介质层分隔开的两个或更多个相变存储器单元，所述两个或更多个相变存储器单元中的每个包括相变材料层和加热器；以及

在所述两个或更多个相变存储器单元的顶部部分上的两个或更多个顶部电极触点，所述两个或更多个顶部电极触点通过金属衬垫与所述相变存储器单元分隔开，所述两个或更多个顶部电极触点沿着所述相变材料层的侧壁部分竖直延伸。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述相变材料层包括结晶相和无定形相，其中所述无定形相在所述加热器的正上方。

10.根据权利要求8所述的结构，其中所述两个或更多个相变存储器单元中的每个包括：

被第二电介质层包围的所述加热器；

在所述加热器的顶部部分上的投射衬垫，所述投射衬垫覆盖所述加热器的顶表面；

位于所述投射衬垫上方的相变材料层，所述投射衬垫将所述相变材料层与所述第二电介质层及所述加热器分隔开；

在所述加热器下方并与所述加热器电接触的底部电极；以及

在所述相变材料层上方并且与所述相变材料层电接触的顶部电极。

11.根据权利要求9所述的结构，进一步包括：

在所述顶部电极上方并与所述顶部电极直接接触的掩模层；以及

在所述底部电极下方并与所述底部电极电接触的底部电极触点。

12.根据权利要求10所述的结构，进一步包括：

在所述底部电极触点下方并与所述底部电极触点电接触的第一金属层；

在所述顶部电极触点上方并与所述顶部电极触点电接触的第二金属层；以及

位于所述第一金属层与所述第二金属层之间并且与所述第一金属层和所述第二金属层电接触的过孔触点。

13.根据权利要求10所述的结构，其中所述投射衬垫在所述相变材料层的所述结晶相和所述无定形相中提供平行传导路径。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的结构，其中所述两个或更多个顶部电极触点是环绕环形类型的顶部电极触点。