[发明专利]磁畴壁移动元件、磁阵列和磁畴壁移动元件的制造方法

权利要求书

1.一种磁畴壁移动元件，其包括：

磁阻效应元件，其具有参照层、磁畴壁移动层和非磁性层，所述参照层和所述磁畴壁移动层包含铁磁性体，所述非磁性层位于所述参照层与所述磁畴壁移动层之间；和

分别与所述磁畴壁移动层直接或间接地接触的、彼此隔开间隔的第一磁化固定层和第二磁化固定层，

所述第一磁化固定层具有：最靠近所述磁畴壁移动层的第一区域；与所述第一区域接触的非磁性的第一中间层；和与所述第一中间层接触的第二区域，

所述第一区域具有与所述第一中间层接触的第一铁磁性层，

所述第二区域具有与所述第一中间层接触的第二铁磁性层，

所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层铁磁性耦合，

所述第一区域中最靠近所述磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构与所述第二磁化固定层中最靠近所述磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构相同，

所述第一区域的膜结构与所述第二区域的膜结构不同。

2.根据权利要求1所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一区域包含多个铁磁性层。

3.根据权利要求1或2所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第二区域具有：非磁性的第二中间层；和隔着所述第二中间层彼此铁磁性耦合的多个铁磁性层。

4.根据权利要求3所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一中间层的材料或厚度与所述第二中间层不同。

5.根据权利要求3所述的磁畴壁移动元件，其中，

具有多个所述第二中间层，

所述第一中间层和多个所述第二中间层中的任一层的材料或厚度与其它层不同。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一中间层由多个非磁性层构成。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一中间层的厚度为1nm以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一中间层为散布有非磁性体的不连续膜，或者具有开口。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一中间层为氧化物或非晶。

10.根据权利要求3～5中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第二中间层由多个非磁性层构成。

11.根据权利要求3～5中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第二中间层的厚度为1nm以上。

12.根据权利要求3～5中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第二中间层为散布有非磁性体的不连续膜，或者具有开口。

13.根据权利要求3～5中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第二中间层为氧化物或非晶。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一区域具有：非磁性的第三中间层；和隔着所述第三中间层彼此反铁磁性耦合的多个铁磁性层。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一区域的矫顽力大于所述第二区域的矫顽力。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，

所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层静磁耦合。