[发明专利]MEMS凸片移除方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在设置在第一管芯和第二管芯之间的凸片区中形成预切割，其中所述凸片区在结构上将所述第一管芯连接至所述第二管芯，其中所述第一管芯包括与第一互补金属氧化物半导体(CMOS)器件共晶接合的第一微机电系统(MEMS)器件，以及其中所述第二管芯包括与第二CMOS器件共晶接合的第二MEMS器件，其中所述凸片区包括设置在熔融接合氧化物层之上的处理晶圆层，所述熔融接合氧化物层设置在致动器(ACT)层上，其中所述凸片区位于CMOS凸片区上方，以及其中所述凸片区、第一管芯、第二管芯和CMOS凸片区形成其中的空腔；

对所述凸片区的对应于预切割的第一区进行凸片划切，其切割穿过所述处理晶圆层、熔融接合氧化物层以及ACT层，以暴露所述CMOS凸片区；

对所述凸片区的第二区进行凸片划切，所述划切切割穿过所述处理晶圆层并留下下方的所述ACT层的一部分以形成ACT系链，其中所述ACT系链使所述凸片区在结构上维持在适当的位置并且维持在所述CMOS凸片区的上方；以及

在对所述第一区和第二区进行凸片划切之后，移除所述凸片区。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述凸片划切是通过刀片锯切、等离子蚀刻或深反应离子蚀刻(DRIE)中的一种进行的。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述移除是通过带移除或真空拾取中的一种进行的。

4.如权利要求1所述的方法，其还包括形成共晶接合系链，在对所述第一区和第二区进行凸片划切之后，所述共晶接合系链将所述凸片区的ACT层结构上连接至所述CMOS凸片区以及将所述凸片区维持在适当位置且位于所述CMOS凸片区上方。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在所述熔融接合氧化物层内形成氧化物系链，其中所述氧化物系链位于所述ACT层系链之上，其中在对所述第一区和第二区进行凸片划切之后，所述氧化物系链将所述凸片区维持在适当的位置并且维持在CMOS凸片区上方。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述氧化物系链是使用深反应离子蚀刻(DRIE)形成的。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述处理晶圆包含硅。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述CMOS凸片区包括位于共晶接合密封环外部的焊盘。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述凸片区中的所述预切割是部分切入所述ACT层中并在MEMS晶圆加工期间形成的。

10.如权利要求1所述的方法，其中在对所述凸片区的第二区进行凸片划切之前，所述熔融接合氧化物层在所述ACT层系链之上形成封闭空腔。

11.一种方法，其包括：

对设置在第一管芯和第二管芯之间的凸片区的第一区进行凸片划切，其中所述凸片区在结构上将所述第一管芯连接至所述第二管芯，其中所述第一管芯包括与第一互补金属氧化物半导体(CMOS)器件共晶接合的第一微机电系统(MEMS)器件，以及其中所述第二管芯包括与第二CMOS器件共晶接合的第二MEMS器件，其中所述凸片区包括设置在熔融接合氧化物层之上的处理晶圆层，所述熔融接合氧化物层设置在致动器(ACT)层上，其中所述凸片区位于CMOS凸片区上方，以及其中所述凸片区、第一管芯、第二管芯以及CMOS凸片区在其中形成空腔，以及其中所述凸片划切切割穿过所述处理晶圆层，并留下在被切割的所述处理晶圆层下方的所述熔融接合氧化物层的一部分，以在所述凸片区的熔融接合氧化物层内形成氧化物系链，其中所述氧化物系链将所述凸片区维持在适当位置并且维持在所述CMOS凸片区的上方；以及

在对所述第一区进行凸片划切之后，移除所述凸片区。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述凸片划切是通过刀片锯切、等离子蚀刻或深反应离子蚀刻(DRIE)中的一种进行的。