[发明专利]成像装置和成像装置的制造方法

说明书

提供了一种能够增强滤色器的耐热性的成像装置和成像装置的制造方法。成像装置包括半导体基板、设置在半导体基板的一个表面侧上的滤色器，以及设置在所述一个表面侧上的第一密封材料，第一密封材料覆盖滤色器。第一密封材料包括能够透射预先设置的波长带的光并且具有0.5W/m·K或更小的热导率的材料。

技术领域

本公开涉及成像装置和成像装置的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了在滤色器上形成包括透明树脂层的转印透镜。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特许公开No.2006-41467

发明内容

本发明要解决的问题

在成像装置中，期望增强滤色器的耐热性，使得即使在形成滤色器之后也可以执行高温下的热处理。

鉴于这样的情形实现了本公开，并且本公开的目的是提供一种能够增强滤色器的耐热性的成像装置和成像装置的制造方法。

问题的解决方案

根据本公开的一方面的成像装置包括半导体基板、设置在半导体基板的一个表面侧上的滤色器，以及设置在该一个表面侧上的第一密封材料、覆盖滤色器的第一密封材料。第一密封材料包括能够透射预先设置的波长带的光并且具有0.5W/m·K或更小的热导率的材料。

利用这种布置，由于滤色器被第一密封材料覆盖，因此即使在形成第一密封材料之后执行高温(例如，250℃或更高)下的热处理的情况下第一密封材料也抑制向滤色器的热传导。由于第一密封材料51保护滤色器免受高温下的热处理，因此可以增强滤色器的耐热性。

根据本公开的一方面的成像装置的制造方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面侧上形成滤色器，在该表面侧上形成第一密封材料并覆盖滤色器，以及在形成第一密封材料之后对包括半导体基板、滤色器和第一密封材料的整个基板执行热处理。能够透射预先设置的波长带的光并且具有0.5W/m·K或更小的热导率的材料被用作第一密封材料。

利用这种布置，即使在形成第一密封材料之后执行高温(例如，250℃或更高)下的热处理的情况下，第一密封材料也抑制向滤色器的热传导。由于第一密封材料保护滤色器免受高温下的热处理，因此可以增强滤色器的耐热性。

附图说明

图1是图示根据本公开的实施例的成像装置的构造示例的图。

图2是图示根据本公开的实施例的成像装置的一部分、像素区域的构造示例的横截面视图。

图3是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例1的横截面视图。

图4是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例2的横截面视图。

图5是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例3的横截面视图。

图6是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例4的横截面视图。

图7是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例5的平面图。

图8是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例5的横截面视图。

图9是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例6的横截面视图。

图10是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例7的横截面视图。

图11是图示根据本公开的实施例的像素区域的构造示例8的横截面视图。

图12是图示根据本公开的实施例的成像装置的制造方法_示例1的横截面视图。