[发明专利]样品支承体、电离法和质量分析方法在审
申请号: | 202180083877.X | 申请日: | 2021-10-14 |
公开(公告)号: | CN116635715A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 小谷政弘;大村孝幸;田代晃 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | G01N27/62 | 分类号: | G01N27/62 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 样品 支承 电离 质量 分析 方法 | ||
1.一种样品支承体,其中,
所述样品支承体用于样品的成分的电离,
所述样品支承体具备:
基板;和
多孔质层,其设置在所述基板上,且具有与所述基板相反的一侧的表面,
所述多孔质层包括主体层,所述主体层具有在所述表面开口的多个孔,
所述多个孔分别包括:
沿所述基板的厚度方向延伸的延伸部;和
从所述延伸部中的所述表面侧的端部朝向所述表面扩宽的开口部,
所述多个孔的深度的平均值为3μm以上且100μm以下,
所述深度的所述平均值除以所述多个孔的宽度的平均值而得到的值为9以上且2500以下。
2.根据权利要求1所述的样品支承体,其中,
所述宽度的所述平均值为40nm以上且350nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的样品支承体,其中,
所述主体层是绝缘层,
所述多孔质层还包括至少沿着所述表面和所述开口部的内表面形成的导电层。
4.根据权利要求3所述的样品支承体,其中,
所述导电层的厚度为10nm以上200nm以下。
5.根据权利要求1或2所述的样品支承体,其中,
所述主体层是绝缘层,
所述主体层至少在所述表面和所述开口部的内表面露出到外部。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的样品支承体,其中,
所述基板和所述主体层通过对金属基板或硅基板的表层进行阳极氧化来形成。
7.一种电离法,其中,
具备:
准备权利要求3所述的样品支承体的工序;
将所述样品配置在所述表面的工序;以及
通过向所述表面照射能量射线,将所述成分电离的工序。
8.一种电离法,其中,
具备:
准备权利要求5所述的样品支承体的工序;
将所述样品配置在所述表面的工序;以及
通过向所述表面照射带电的微小液滴,从而将所述成分电离的工序。
9.一种质量分析方法,其中,
具备:
权利要求7或8所述的电离法所具备的多个工序;以及
检测电离了的所述成分的工序。
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