[发明专利]对已知畸变器的电磁畸变校正

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

确定畸变器在电磁(EM)场内的姿态；

从所述EM场中的EM跟踪器接收表示在所述EM跟踪器处的经历的EM场的数据，所述经历的EM场被由所述畸变器在所述EM场内引起的畸变场畸变；

基于所述畸变器在所述EM场内的所确定的姿态和包括所述畸变器的一个或多个特性的所述畸变器的模型来确定由所述畸变器在所述EM场内引起的所述畸变场；以及

使用在所述EM跟踪器处的所述经历的EM场和所确定的畸变场来计算用于所述EM跟踪器的经校正的经历的EM场。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括基于表示所述经历的EM场的所述数据来优化所述畸变器的所述模型。

3.根据权利要求1所述的方法，其中由所述畸变器在所述EM场内引起的所述畸变是第一畸变场，并且其中所述经历的EM场是第一经历的EM场，所述方法还包括基于表示受由所述畸变器引起的第二畸变场影响的第二经历的EM场的数据来优化所述畸变器的所述模型。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述畸变场被建模为以下中的一者：偶极、多偶极、多极、有效电荷、有效电流、边界元方法模型、有限元分析模型和基于测量的模型。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述畸变器的所述姿态包括以下中的一者或多者：所述畸变器在所述EM场内的位置，以及所述畸变器相对于所述EM发射器和所述EM跟踪器中的一者的取向。

6.根据权利要求1所述的方法，其中确定由所述畸变器引起的所述畸变场包括确定所述畸变场以下中的一者或多者：位置、取向、量值和相位。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述畸变器的所述模型包含所述畸变器的相对磁导率。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括使用来自包括所述畸变器的工具的EM跟踪器的数据和来自光学跟踪系统的数据来确定所述畸变器的所述姿态。

9.一种计算装置，所述计算装置包括：

处理器；和

存储器，所述存储器存储指令，所述指令在由所述处理器执行时配置所述装置以：

确定畸变器在电磁(EM)场内的姿态；

从所述EM场中的EM跟踪器接收表示在所述EM跟踪器处的经历的EM场的数据，所述经历的EM场被由所述畸变器在所述EM场内引起的畸变场畸变；

基于所述畸变器在所述EM场内的所确定的姿态和包括所述畸变器的一个或多个特性的所述畸变器的模型来确定由所述畸变器在所述EM场内引起的所述畸变场；以及

使用在所述EM跟踪器处的所述经历的EM场和所确定的畸变场来计算用于所述EM跟踪器的经校正的经历的EM场。

10.根据权利要求9所述的计算装置，其中所述指令在由所述处理器执行时配置所述装置以基于所述畸变器的在所述畸变器的所述模型中记录的物理尺寸来确定所述畸变场。

11.根据权利要求9所述的计算装置，其中所述指令在由所述处理器执行时配置所述装置以使用在机器人姿态设定系统处的配置跟踪来确定所述畸变器的所述姿态。

12.根据权利要求9所述的计算装置，其中所述指令在由所述处理器执行时配置所述装置以使用由光学跟踪系统进行的光学跟踪来确定所述畸变器的所述姿态。

13.根据权利要求9所述的计算装置，其中所述指令在由所述处理器执行时配置所述装置以使用在机器人姿态设定系统处的配置跟踪和由光学跟踪系统进行的光学跟踪来确定所述畸变器的所述姿态。

14.根据权利要求9所述的计算装置，其中所述畸变场被建模为以下中的一者：偶极、多偶极、多极、有效电荷、有效电流、边界元方法模型、有限元分析模型和基于测量的模型。