[其他]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块(1)，其特征在于，包括：

基板(10)；

宽带隙材料裸芯(12)，包括附接至所述基板(10)的所述宽带隙材料裸芯(12)中的多个半导体电路(11)的阵列，其中，所述半导体电路(11)由边缘终止区(16)彼此间隔开；

金属预制件(14)，压靠在所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路上以电接触所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路，并且适于在被过电流加热时，形成通过所述宽带隙材料裸芯(12)的至少临时导电路径；

其中，所述半导体电路(11)通过所述基板(10)和所述金属预制件(14)并联连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述宽带隙材料包括碳化硅(SiC)。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述多个半导体电路(11)中的至少一个包括IGBT、MOSFET或二极管中的至少一种。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述多个半导体电路(11)的阵列包括四个半导体电路(11)。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，还包括：将所述金属预制件(14)压靠在所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路上的至少一个压销(18)。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，还包括：连接至所述至少一个压销(18)的导电顶板(20)。

7.根据权利要求5所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述至少一个压销(18)包括弹簧元件(22)。

8.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述金属预制件(14)是多引脚金属预制件。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，还包括：

至少两个模块部分(31，32)；

至少一个另外的宽带隙材料裸芯(12)，所述至少两个宽带隙材料裸芯(12)中的每个宽带隙材料裸芯布置在所述至少两个模块部分(31，32)中的一个模块部分中，并且各自在附接至所述基板(10)的所述宽带隙材料裸芯(12)中包括多个半导体电路(11)的阵列，其中，所述半导体电路(11)通过边缘终止区(16)彼此间隔开；

至少一个另外的金属预制件(14)，所述至少两个金属预制件(14)中的每个金属预制件压靠在所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路上以电接触相应的多个半导体电路(11)中的每个半导体电路，并且适于在被过电流加热时形成通过相应宽带隙材料裸芯(12)的至少临时导电路径，所述多个半导体电路(11)位于布置在所述至少两个模块部分(31，32)中的一个模块部分中的所述至少两个宽带隙材料裸芯(12)中的一个宽带隙材料裸芯中；

其中，所述至少两个宽带隙材料裸芯(12)中的每个宽带隙材料裸芯的所述半导体电路(11)通过所述基板(10)和所述至少两个金属预制件(14)中的一个金属预制件并联连接；

至少两个压销(18)，将所述金属预制件(14)中的每个金属预制件压靠在所述至少两个宽带隙材料裸芯(12)中的每个宽带隙材料裸芯的所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路上；

导电顶板(20)，连接至所述至少两个压销(18)。

10.根据权利要求9所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述至少两个模块部分(31，32)布置在一个封装中。

11.根据权利要求9或10所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述金属预制件(14)中的每个金属预制件是多引脚金属预制件。