[发明专利]一种基于靶诱导银纳米簇探针的高灵敏细胞因子电化学适配体传感器

权利要求书

1.一种IFN-γ细胞因子电化学适配体传感器，其特征在于，通过如下方法制备而成：

（1）制备金纳米离子修饰的基底电极：将玻碳面浸入烯丙基胺溶液中，紫外光照下进行光化学反应，制备氨基改性玻碳电极；将氨基改性电极浸入金胶溶液中反应过夜获得金纳米离子修饰的基底电极；

（2）核酸适配体的固定及细胞因子干扰素-γ（IFN-γ）的识别：将步骤（1）制得的金纳米粒子修饰的基底电极浸入到含富C模板的巯基化IFN-γ特异性适配体溶液中室温孵育，并用1-巯基己醇溶液对电极表面进行封闭，消除非特异性结合位点；在室温下，将制备好的修饰电极分别与不同浓度的IFN-γ溶液孵育，进行IFN-γ的识别；

（3）引入探针分子：室温下，将经步骤（2）处理过的修饰电极浸入到cDNA溶液中，进行自组装；

（4）步骤（3）中改性电极置于双链剪切酶溶液中进行剪切，将表面双链化适配体移除；

（5）向步骤（4）改性电极依次引入AgNO₃溶液和NaBH₄溶液，制得IFN-γ电化学生物传感器；

步骤（2）所述IFN-γ特异性适配体的DNA序列为：GGGGTTGGTTGTGTTGGGTGTTGTGT-CCCCTCAATCCC。

2.如权利要求1所述的IFN-γ细胞因子电化学适配体传感器，其特征在于：步骤（1）所述烯丙基胺光照法采用254 nm紫外光照12 h；金胶溶液pH为4.0。

3.如权利要求1所述的IFN-γ细胞因子电化学适配体传感器，其特征在于：步骤（2）所述含富C模板的巯基化核酸适配体固定时其浓度选择1 μmol·L^-1。

4.如权利要求1-3其中之一所述的IFN-γ细胞因子电化学适配体传感器，其特征在于：步骤 (5) 进行银纳米簇合成时AgNO₃浓度为5 mmol·L^-1；NaBH₄浓度为10 mmol·L^-1。