[发明专利]一种数据读写电路、芯片、电子设备及方法在审

专利信息
申请号: 202210002294.6 申请日: 2022-01-04
公开(公告)号: CN114461052A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 何凯;马柯 申请(专利权)人: 青岛信芯微电子科技股份有限公司
主分类号: G06F1/3234 分类号: G06F1/3234;G06F1/324;G06F1/3225
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 李欣
地址: 266100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 读写 电路 芯片 电子设备 方法
【说明书】:

发明实施例涉及数据读写技术领域,尤其涉及一种数据读写电路、芯片、电子设备及方法。该数据读写电路包括:功能电路、第一检测电路和随机存取存储器RAM;功能电路,用于通过第一检测电路对RAM进行读写操作;第一检测电路,用于基于功能电路输出的地址信号,确定功能电路对RAM进行同一地址的重复读写操作时,基于功能电路输出的周期性翻转的第一时钟信号生成第二时钟信号并将第二时钟信号输出至RAM;第二时钟信号在重复读写操作期间不翻转;RAM,用于基于第二时钟信号进行读写操作。由于第二时钟信号在重复读写操作期间不发生翻转,那么RAM就不会进行重复的读写操作。如此,减少了RAM的功耗浪费。

技术领域

本发明实施例涉及数据读写技术领域,尤其涉及一种数据读写电路、芯片、电子设备及数据读写方法。

背景技术

在硬件电路中,通常使用大量的随机存取存储器(Random-Access Memory,RAM)来存储数据。一些功能电路如图像处理电路、查找表(look-up-table,LUT)电路会将数据写入RAM或者从RAM中读取数据。例如,图像处理电路在工作时会实时读取RAM中存储的一行图像数据。

RAM上电便产生功耗,分为静态功耗和动态功耗。其中静态功耗是指电路处于等待或不激活状态时泄漏电流所产生的功耗;动态功耗是指芯片在工作中,晶体管处于跳变状态所产生的功耗,包括开关功耗和短路功耗。

现有技术中功能电路对RAM的频繁调用很容易出现一些不必要的功耗。本发明实施例提供一种数据读写电路,以达到减少RAM功耗的目的。

发明内容

本发明实施例提供一种数据读写电路,以达到减少RAM功耗的目的。

第一方面,本发明实施例提供一种数据读写电路,包括功能电路、第一检测电路和随机存取存储器RAM;

所述功能电路,用于通过所述第一检测电路对所述RAM进行读写操作;

所述第一检测电路,用于基于所述功能电路输出的地址信号,确定所述功能电路对所述RAM进行同一地址的重复读写操作时,基于所述功能电路输出的周期性翻转的第一时钟信号生成第二时钟信号并将所述第二时钟信号输出至所述RAM;所述第二时钟信号在重复读写操作期间不翻转;

所述RAM,用于基于所述第二时钟信号进行读写操作。

第一检测电路基于地址信号,确定功能电路在进行同一地址的重复读写操作时,会将原本周期性翻转的第一时钟信号生成在重复读写操作器件不翻转的第二时钟信号,输出至RAM,那么RAM就会根据第二时钟信号进行读写,由于第二时钟信号在重复读写操作期间不发生翻转,那么RAM就不会进行重复的读写操作。如此,减少了RAM的功耗浪费。

可选地,所述第一检测电路包括存储区;

所述第一检测电路,用于在所述第一时钟信号的第i周期,读取所述地址信号的第i地址;若所述第i地址与所述存储区存储的第i-1地址相同、所述功能电路输出的片选信号有效且读写信号为读信号时,生成在第i周期未翻转的第二时钟信号;

所述第一检测电路,还用于将所述存储区中存储的第m周期从所述RAM中读取的所述第i地址的读数据输出至所述功能电路;所述第m周期为所述功能电路连续对所述第i地址进行读数据的首个周期。

在通过RAM进行数据读取时,若确定第i地址与所述存储区存储的第i-1地址相同、所述功能电路输出的片选信号有效,则生成在第i周期未翻转的第二时钟信号。第二时钟信号不发生翻转,那么RAM不工作,不会从RAM中读取数据。如此,实现了降低功耗的目的。但是在存储区中存储有第m周期从所述RAM中读取的第i地址的读数据,因此可以将该数据返回至功能电路。即,若功能电路连续多次通过第一时钟信号、片选信号,对相同的地址进行重复多次读取数据时,第一检测电路就会连续多次将存储区中存储的上一次读取数据进行返回,但是却不会连续多次通过RAM获取数据,如此,降低了功耗。

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