[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，用于制备金属氧化物半导体场效应晶体管，所述方法包括：

提供衬底；

于所述衬底内形成N级依次相互连通的子沟槽，其中，在形成各级子沟槽后及形成下一级子沟槽之前，均于已形成的子沟槽的侧壁形成侧壁保护层，以不断减小所述子沟槽的宽度，使得相邻两级的所述子沟槽之间形成台阶状拐角；N为大于等于2的整数；去除各所述侧壁保护层得到初始凹槽，所述初始凹槽内具有尖锐拐角；

对所述初始凹槽进行平滑处理，以去除所述尖锐拐角，得到具有光滑内壁的沟槽；

其中，通过控制所述侧壁保护层的厚度以及相邻两级的所述子沟槽的深度差，能够控制所述台阶状拐角的尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括基底及位于所述基底表面的外延层；于所述外延层内形成所述初始凹槽。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底及碳化硅衬底中一种或多种。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，N等于2，所述于所述衬底内形成N级子沟槽，包括：

刻蚀衬底，以于所述衬底内形成第一级子沟槽；

于所述第一级子沟槽的侧壁形成第一级侧壁保护层，并基于第一级子沟槽及第一级侧壁保护层继续刻蚀所述衬底，以形成第二级子沟槽。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，N大于等于3，所述于所述衬底内形成N级子沟槽，包括：

刻蚀衬底，以于所述衬底内形成第一级子沟槽；

于上一级子沟槽的侧壁形成侧壁保护层，并基于上一子沟槽及位于上一级子沟槽侧壁的侧壁保护层继续刻蚀所述衬底，以形成下一级子沟槽；

重复上一步骤至少一次。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述初始凹槽进行平滑处理，以去除所述尖锐拐角，得到具有光滑内壁的沟槽，包括：

对所得结构进行热氧氧化处理，消耗部分所述衬底以形成热氧化层；

去除所述热氧化层即得到所述沟槽。

7.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而得到。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底的正面形成第一导电类型的阱区，并于所述衬底的正面限定出沟槽区域；

于所述阱区中形成第一导电类型的体区和第二导电类型的源区；其中，所述体区位于相邻所述沟槽区域之间，且与所述沟槽区域具有间距；所述源区位于相邻所述沟槽区域之间，且位于所述体区相对的两侧，所述源区与所述沟槽区域及所述体区均邻接；

采用如权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法于所述沟槽区域形成沟槽，所述沟槽的宽度大于或等于所述沟槽区域的宽度；

于所述沟槽内形成栅极结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述沟槽内形成栅极结构之后，还包括：

于所述衬底的正面形成层间介质层，所述层间介质层内形成有开口，所述开口暴露出所述体区和部分所述源区；

于所述层间介质层远离所述衬底的表面形成源极电极。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求8或9所述的半导体器件的制备方法制备而得到。