[发明专利]一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管

权利要求书

1.一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：

数条垂直排列的沟道（1）；

设于数条沟道（1）左端且向源边墙（8）内部延伸的源（2）；

设于数条沟道（1）右端的漏（3）；

包裹在各沟道（1）外侧、并与控制栅极（5）和极性栅极（6）及栅极隔离（7）接触的栅极氧化物（4）；

对称设置且包裹在栅极氧化物（4）外侧的控制栅极（5）和极性栅极（6）；

包裹在沟道（1）外侧、设于控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的栅极隔离（7）；

设置于控制栅极（5）左侧和源（2）右侧且包裹在沟道（1）外的源边墙（8）；

设置于极性栅极（6）右侧和漏（3）左侧且包裹在沟道（1）外的漏边墙（9）；

设于上述结构底部的衬底（10）。

2.根据权利要求1所述的源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管，其特征在于，所述沟道（1）为硅纳米片、锗纳米片、锗硅纳米片、砷化镓纳米片、氧化锌纳米片或硅纳米线、锗纳米线、锗硅纳米线、砷化镓纳米线或氧化锌纳米线；

所述的源（2）和漏（3）为钛硅化物、镍硅化物、钴硅化物、氮化钛和氮化钽中的一种或几种组合；

所述栅极氧化物（4）为二氧化硅或二氧化铪；

所述控制栅极（5）和极性栅极（6）为光刻、刻蚀后形成的铝、铜、多晶硅或氮化钛；

所述栅极隔离（7）为淀积在沟道（1）外侧、控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化铪、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；

所述源边墙（8）和漏边墙（9）为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；

所述衬底（10）为体硅、绝缘层上硅或绝缘层上锗。

3.根据权利要求1所述的源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管，其特征在于，所述源（2）向源边墙（8）内部延伸的长度小于源边墙（8）的长度，且源（2）延伸的高度等于源边墙（8）的高度；所述栅极隔离（7）的高度等于控制栅极（5）与栅极氧化物（4）高度之和，等于极性栅极（6）与栅极氧化物（4）高度之和。