[发明专利]半导体装置结构及封装组件

权利要求书

1.一种半导体装置结构，包括：

半导体基底，具有第一表面及与其相对的第二表面；

氮化镓基装置层，形成于该半导体基底的该第一表面上，且具有源极接触区、漏极接触区及栅极接触区；

第一通孔电极、第二通孔电极及第三通孔电极，贯穿该半导体基底，且分别电性连接于该源极接触区、该漏极接触区及该栅极接触区；以及

绝缘衬层，形成于该半导体基底的该第二表面上，且延伸于该半导体基底内并将该第二通孔电极及该第三通孔电极与该半导体基底隔开。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该半导体基底将该绝缘衬层与该第一通孔电极隔开。

3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其中该第一通孔电极与该半导体基底直接接触。

4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该绝缘衬层将该第一通孔电极与该半导体基底隔开。

5.如权利要求1所述的半导体装置结构，还包括：

内连接结构，形成于该氮化镓基装置层上，其中该内连接结构具有源极接垫、漏极接垫及栅极接垫，分别电性连接于该源极接触区、该漏极接触区及该栅极接触区。

6.如权利要求1所述的半导体装置结构，还包括：

第一导电层、第二导电层及第三导电层，分别自该第一通孔电极、该第二通孔电极及该第三通孔电极延伸于该半导体基底上的该第二表面上方。

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其中该第一导电层、该第二导电层及该第三导电层分别具有第一面积、第二面积及第三面积，且该第一面积不同于该第二面积及该第三面积。

8.如权利要求7所述的半导体装置结构，其中该第一面积大于该第二面积及该第三面积。

9.一种半导体封装组件，包括：

电路基底；以及

晶片，组装于该电路基底上，包括：

半导体基底，具有主动表面及相对于该主动表面的非主动表面；

氮化镓基装置层，形成于该半导体基底的该主动表面上；

源极电极结构、漏极电极结构及栅极电极结构，自该半导体基底的该主动表面延伸穿过且突出于该氮化镓基装置层；以及

第一重布线层、第二重布线层及第三重布线层，自该半导体基底的该非主动表面延伸穿过该半导体基底，且分别电性连接于该源极电极结构、该漏极电极结构及该栅极电极结构，

其中位于该半导体基底的该非主动表面上的该第一重布线层的部分、该第二重布线层的部分及该第三重布线层的部分分别具有第一面积、第二面积及第三面积，且该第一面积大于该第二面积及该第三面积。

10.如权利要求9所述的半导体封装组件，其中该晶片还包括：

绝缘衬层，延伸于该半导体基底内并环绕位于该半导体基底内的该第二重布线层的部分及该第三重布线层的部分，其中该绝缘衬层与该第一重布线层隔开。

11.如权利要求10所述的半导体封装组件，其中该半导体基底与该第一重布线层直接接触。

12.如权利要求9所述的半导体封装组件，其中该晶片还包括：

绝缘衬层，形成于该半导体基底与该第一重布线层、该第二重布线层及该第三重布线层之间。

13.如权利要求9所述的半导体封装组件，其中该晶片还包括：

绝缘层，形成于该氮化镓基装置层上，且环绕该源极电极结构、该漏极电极结构及该栅极电极结构。

14.如权利要求9所述的半导体封装组件，其中该电路基底具有接地接垫，电性连接于该第一重布线层。