[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：在屏蔽栅厚介质层形成后，通过等高度的光刻胶形成出屏蔽栅多晶硅生成区域，光刻胶去除后其位置淀积形成屏蔽栅多晶硅，同时，屏蔽栅厚介质层上方紧贴沟槽侧壁处淀积形成栅多晶硅，从而在不增加光刻过程情况下一步淀积完成屏蔽栅多晶硅和栅多晶硅，减少了多晶硅的淀积次数，以解决相关技术中光刻次数较多带来的成本问题；此外，新结构与新工艺下，减少了屏蔽栅多晶硅和栅多晶硅这两层多晶硅之间的交叠电容，进而降低了输入电容。

技术领域

本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法。

背景技术

随着电子消费产品需求的增长，MOSFET的需求越来越大，例如驱动件、电子通讯设备、功率器件等等应用方面。MOSFET器件通过栅极电压控制漏极电流，具有驱动功率小、驱动电流小、输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好等特性，被广泛应用。

在相关技术中，关于MOSFET器件的设计和制作方法一直在持续的改进，随着市场竞争的激烈程度增加，对成本控制的要求也越来越高，如何在不降低器件性能的情况下，降低制造成本也是目前重要的研究方向。

对于控制制造成本，其主要的一个方向即与光刻次数相关，多晶硅淀积使用到光刻板实现，且在相关技术中，多晶硅淀积次数多次，则需要增加光刻板的使用次数。

发明内容

本申请提供了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，可以解决相关技术中光刻次数较多带来的成本问题。

一方面，本申请实施例提供了一种屏蔽栅MOSFET器件的制作方法，包括：

提供刻蚀有沟槽的衬底，在所述沟槽的内壁及底部沉积屏蔽栅厚介质层；

在所述沟槽内填充光刻胶并从上方开始去除部分厚度的光刻胶，所述沟槽中，剩余厚度的光刻胶的顶部低于所述屏蔽栅厚介质层的顶部；

沿所述沟槽侧壁刻蚀所述屏蔽栅厚介质层至顶部与所述剩余厚度的光刻胶的顶部齐平；

将所述衬底上方的硬质掩膜层以及所述沟槽内所述剩余厚度的光刻胶去除；

在所述屏蔽栅厚介质层上方且所述沟槽内壁形成栅介质层；

通过一步淀积同时形成多晶硅形成栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅，其中，所述栅多晶硅形成于所述屏蔽栅厚介质层上方，所述屏蔽栅多晶硅形成于所述屏蔽栅厚介质层沟槽内；

在所述栅介质层两侧形成阱，并在所述阱上方形成源极；

在所述源极、所述阱、所述栅多晶硅和所述屏蔽栅多晶硅的上表面沉积接触孔介质层；

刻蚀所述接触孔介质层，使得所述阱、所述栅多晶硅和所述屏蔽栅多晶硅上方形成接触孔；

在所述衬底的背面形成背面金属，并在所述接触孔中填充正面金属。

可选的，所述通过一步淀积同时形成多晶硅形成栅多晶硅4和屏蔽栅多晶硅10，包括：

在所述沟槽101内部及所述衬底1顶部淀积多晶硅301，其中，所述屏蔽栅厚介质层2上方平坦处及所述衬底1顶部形成薄层多晶硅，所述屏蔽栅厚介质层2沟槽内及贴近所述栅介质层3侧壁处形成厚层多晶硅；

对所述多晶硅301进行刻蚀，留有所述栅多晶硅4以及所述屏蔽栅多晶硅10，所述屏蔽栅多晶硅(10)上方无所述栅多晶硅(4)。

可选的，所述对所述多晶硅301进行刻蚀，包括：

对所述屏蔽栅厚介质层2上方平坦处及所述衬底1顶部形成的薄层多晶硅刻蚀，留有所述屏蔽栅厚介质层2上方的栅多晶硅4以及所述屏蔽栅厚介质层2沟槽内的屏蔽栅多晶硅10。