[发明专利]基于半导体装置的操作电压电平进行的动态微调选择及相关方法和系统在审

专利信息
申请号: 202210008656.2 申请日: 2022-01-06
公开(公告)号: CN114792534A 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C16/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 半导体 装置 操作 电压 电平 进行 动态 微调 选择 相关 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其包括:

非易失性存储器NVM阵列,其被配置成存储多个微调代码,其中所述多个微调代码中的每个微调代码对应于所述半导体装置的操作电压的多个电压电平范围中的一个电压电平范围;以及

外围电路系统,其与所述NVM阵列耦合,所述外围电路系统被配置成:

确定所述操作电压在所述多个范围的电压电平范围内;

选择所述多个微调代码中的微调代码,所述微调代码对应于所述电压电平范围;并且

将所述微调代码传输到耦合到所述外围电路系统的所述半导体装置的微调调整电路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述多个电压电平范围彼此不重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述外围电路系统进一步被配置成:

将从所述NVM阵列检索的所述多个微调代码存储在所述半导体装置的一或多个内部锁存器中,其中选择所述微调代码对应于选择存储在所述一或多个内部锁存器中的所述微调代码。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述外围电路系统包括电压检测电路,所述电压检测电路被配置成检测所述操作电压的电压电平,并且其中确定所述操作电压在所述电压电平范围内至少部分地基于检测所述电压电平的所述电压检测电路。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述电压检测电路被配置成在检测到的电压电平的变化超过所述电压电平范围的边界值的程度未达预定滞后阈值的情况下,提供所述电压电平范围的稳定指示。

6.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述电压检测电路耦合到所述半导体装置的焊盘,所述焊盘被配置成将所述操作电压供应到所述半导体装置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述电压检测电路被配置成响应于针对所述半导体装置执行的预定义操作而检测所述焊盘处的所述操作电压。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括:

模式寄存器,其被配置成指示所述操作电压的电压电平,其中确定所述操作电压在所述电压电平范围内至少部分地基于指示所述电压电平的所述模式寄存器。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中主机装置对所述模式寄存器进行编程以指示所述电压电平,所述主机装置以可操作方式与所述半导体装置耦合。

10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述微调调整电路被配置成至少部分地基于从所述外围电路系统接收所述微调代码而调整所述半导体装置的一或多个可微调电路的一组时序和/或电压状况。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中所述一组时序和/或电压状况已经被预配置成使所述一或多个可微调电路在所述操作电压的所述电压电平范围内操作。

12.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括:

逻辑电路,其耦合到所述NVM阵列,所述逻辑电路被配置成从所述NVM阵列检索所述多个微调代码并且将所述多个微调代码传输到所述半导体装置的一或多个内部锁存器。

13.一种操作半导体装置的方法,其包括:

确定所述半导体装置的操作电压在电压电平范围内,其中所述电压电平范围是所述操作电压的多个电压电平范围中的一个电压电平范围;

从存储在所述半导体装置的非易失性存储器NVM阵列中的多个微调代码选择微调代码,其中所述多个微调代码中的每个微调代码对应于所述多个电压电平范围中的一个电压电平范围,并且选定微调代码对应于所述电压电平范围;以及

将所述微调代码传输到所述半导体装置的微调调整电路。

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