[发明专利]一种纳米气体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：制备CdS纳米棒：将CdCl₂·2.5H₂O和硫脲加入乙二胺溶剂中，得到混合溶液；

混合溶液在160℃～170℃下反应9h～10h，反应结束后用乙醇和去离子水洗涤沉淀，得到沉淀物；

沉淀物在60℃～65℃条件下干燥11h～12h可得到CdS纳米棒；

S2：CdS/CuO/rGO纳米复合材料的制备：将CuO和rGO与CdS纳米棒复合，得到p-n异质结的CdS/CuO/rGO纳米复合材料；

S3：CdS/CuO/rGO气体传感器的制备：将CdS/CuO/rGO纳米复合材料的粉末分散在乙醇溶剂中，经过超声分散得到分散液，将分散液均匀地滴铸在叉指电极上，等待干燥之后形成敏感层，得到气体传感器。

2.根据权利要求1所述的纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，S1中所述CdCl₂·2.5H₂O和所述硫脲的摩尔比为5:8。

3.根据权利要求1所述的纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，S2的具体步骤为：将所制备的CdS粉末溶解在去离子水中，得到CdS溶液，向CdS溶液中添加CuSO₄·5H₂O和氧化石墨烯粉末，剧烈搅拌30min后，将形成的混合物转移到具有聚四氟乙烯内衬的高压容器中，并在120℃下加热16h；

用乙醇和去离子水多次洗涤，通过过滤器分离并得到沉淀物，在60℃下干燥12h得到CdS/CuO/rGO纳米复合材料。

4.根据权利要求3所述的纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，所述CdS粉末、所述CuSO₄·5H₂O和所述氧化石墨烯粉末的质量比为1:3.16:3.52。

5.根据权利要求1所述的纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，S3中所述叉指电极为Au/Cr电极。

6.根据权利要求1所述的纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，所述叉指电极的衬底为SiO₂/Si。

7.根据权利要求1所述的纳米气体传感器的制备方法，其特征在于，S3的具体步骤为：将CdS/CuO/rGO纳米复合材料的粉末分散在乙醇溶剂中，经过超声得到分散液，将分散液均匀地滴铸在叉指电极上，加热1h后，得到元器件，将叉指电极的两端通过铜线连接，并通过银浆对铜线进行固定，干燥24h后，得到CdS/CuO/rGO气体传感器。