[发明专利]谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置

权利要求书

1.一种谐振型红外传感器，包括：谐振振子(1)、红外线吸收膜(2)、位于谐振振子(1)下方的衬底(3)；其中，

所述谐振振子(1)设置有一个以上第一通孔(1-1)；

所述红外线吸收膜(2)设置有一个以上第二通孔(2-1)；

其中，所述第一通孔(1-1)和所述第二通孔(2-1)用于通过腐蚀性流体，以在衬底(3)上刻蚀空腔。

2.根据权利要求1所述的谐振型红外传感器，其特征在于，所述第一通孔(1-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；

其中，所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7。

3.根据权利要求1所述的谐振型红外传感器，其特征在于，所述第二通孔(2-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；

其中，所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7。

4.根据权利要求1所述的谐振型红外传感器，其特征在于，所述衬底(3)上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子(1)的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；

其中，所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。

5.一种谐振型红外传感器的制备方法，包括：

在衬底上制备包含第一通孔的谐振振子；

在制备的谐振振子上制备用于制备红外线吸收膜的第一材料层；

图形化处理第一材料层，获得包含第二通孔的红外线吸收膜；

在红外线吸收膜上制备用于制备阻断掩模的第二材料层；

图形化处理第二材料层，获得阻断掩模；

腐蚀性流体通过第一通孔和第二通孔流向衬底以在衬底上刻蚀空腔；

去除阻断掩模，获得谐振型红外传感器；

其中，所述阻断掩模用于阻断除第一通孔、第二通孔外所有腐蚀性流体的通路。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述去除阻断掩模，包括：通过溶解和/或等离子体轰击去除所述阻断掩模。

7.一种谐振型红外传感器的制备方法，包括：

在衬底上制备包含第一通孔的谐振振子；

在制备的谐振振子上制备用于制备红外线吸收膜的第一材料层；

图形化处理第一材料层，获得包含第二通孔的红外线吸收膜；

在红外线吸收膜上制备用于制备阻断掩模的第二材料层；

图形化处理第二材料层，获得阻断掩模；

在阻断掩模上制备用于制备图形化掩模的第三材料层；

图形化处理第三材料层，获得图形化掩模；

腐蚀性流体通过第一通孔和第二通孔流向衬底以在衬底上刻蚀空腔；

利用图形化掩模刻蚀阻断掩模；

去除图形化掩模，获得谐振型红外传感器；

其中，所述阻断掩模用于阻断除第一通孔、第二通孔外所有腐蚀性流体的通路。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述去除阻断掩模，包括：通过溶解和/或等离子体轰击去除所述阻断掩模。