[发明专利]像素结构、阵列基板以及显示面板在审
申请号: | 202210010645.8 | 申请日: | 2022-01-06 |
公开(公告)号: | CN114355680A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 王建丽;刘梦阳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 蔡艾莹 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 以及 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
多个呈阵列分布的像素单元,每一所述像素单元至少包括主像素区域和次像素区域,所述主像素区域设有主像素电极,所述次像素区域设有次像素电极;
每一所述像素单元至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与所述主像素电极连接,用于给所述主像素电极充电,所述第二薄膜晶体管与所述次像素电极连接,用于给所述次像素电极充电;
其中,所述第一薄膜晶体管的充电能力大于所述第二薄膜晶体管的充电能力。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述主像素电极的面积与所述次像素电极的面积之和大于预设像素电极的面积。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括第一沟道,所述第二薄膜晶体管包括第二沟道,所述第一沟道的宽长比大于所述第二沟道的宽长比。
4.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述第一沟道的长度与所述第二沟道的长度一致,且所述第一沟道的宽度大于所述第二沟道的宽度,或所述第一沟道的宽度与所述第二沟道的宽度一致,且所述第一沟道的长度小于所述第二沟道的长度。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管为U型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为I型薄膜晶体管。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述主像素电极的面积大于预设主像素电极的面积,和/或所述次像素电极的面积大于预设次像素电极的面积。
7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述次像素电极的面积大于所述主像素电极的面积。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一源极/漏极。
9.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:层叠设置的衬底以及像素电极层,所述像素电极层包括至少一个如权利要求1至8任意一项所述的像素结构。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:如权利要求8所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
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