[发明专利]电容器结构及形成具有电容器结构的半导体结构的方法

权利要求书

1.一种电容器结构，其特征在于，包含：

一第一电容器，该第一电容器包含：

一第一底部电极；及

一顶部电极，该顶部电极具有一底表面，其中该底表面与该第一底部电极的顶表面相距一第一距离；及

一第二电容器，该第二电容器包含：

一第二底部电极；及

该顶部电极，其中该底表面与该第二底部电极的顶表面相距一第二距离，其中该第一距离不同于该第二距离。

2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，进一步包含：

一第三电容器，该第三电容器包含：

一第三底部电极；及

该顶部电极，其中该底表面与该第三底部电极的顶表面相距一第三距离，其中该第三距离不同于该第一距离及该第二距离。

3.如权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，该第三距离与该第一距离之间的差值大于40埃，且其中该第三距离与该第二距离之间的差值大于20埃。

4.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，进一步包含：

至少一个介电材料层，位于该第一底部电极与该顶部电极之间及该第二底部电极与该顶部电极之间，其中该至少一个介电材料层具有大于100埃的一厚度。

5.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，进一步包含：

一第一接触介层窗；

一第一金属阻障层，设置在该第一接触介层窗与该第一底部电极的底表面之间；

一第二接触介层窗；及

一第二金属阻障层，设置在该第二接触介层窗与该第二底部电极的底表面之间。

6.一种电容器结构，其特征在于，包含：

一介电结构，该介电结构包含：

至少两个水平面在不同高度，其中该至少两个水平面为一阶梯状分级结构；及

两个侧壁，其中该至少两个水平面设置在该两个侧壁之间，且其中该两个侧壁的高度高于该至少两个水平面；

至少两个接触介层窗，其中该至少两个水平面中的每个水平面嵌入该至少两个接触介层窗中的一个接触介层窗，该至少两个接触介层窗的顶表面分别与该至少两个水平面中的每个对应水平面共平面；

至少两个底部电极，其中该至少两个底部电极中的每个底部电极设置在该至少两个接触介层窗中的一个接触介层窗的顶表面上方；

一介电层，其中该介电层接触该至少两个底部电极的侧壁及顶表面；及

一顶部电极，该顶部电极设置在该介电层上且垂直地设置在该至少两个底部电极上方。

7.一种形成具有电容器结构的半导体结构的方法，其特征在于，包含：

蚀刻一介电材料层以形成具有至少两个水平面在不同高度的一介电结构，使得该介电结构为一阶梯状分级结构，其中该至少两个水平面中的每个水平面分别具有一第一接触介层窗孔及一第二接触介层窗孔；

沉积一金属填充材料层到该第一接触介层窗孔及该第二接触介层窗孔中以形成一第一接触介层窗及一第二接触介层窗；

沉积一金属阻障层在每个该第一接触介层窗及该第二接触介层窗的顶表面上以及在该介电结构的暴露表面上；

沉积一金属电容层在该金属阻障层上；

蚀刻该金属电容层及该金属阻障层以形成一第一底部电极及一第二底部电极，其中该第一底部电极及该第二底部电极各别设置在该第一接触介层窗和该第二接触介层窗上方；

沉积一介电层在该金属电容层上，其中该介电层接触该金属电容层及该金属阻障层的侧壁，该金属电容层及该金属阻障层的侧壁在蚀刻该金属电容层及该金属阻障层的期间暴露出来；

执行一化学机械研磨制程直到侦测到一终止层为止；及

沉积一顶部电极材料层在该介电层的顶部上及该第一底部电极及该第二底部电极上。

8.如权利要求7所述的形成具有电容器结构的半导体结构的方法，其特征在于，执行该化学机械研磨制程直到侦测到该终止层为止进一步包含：

侦测该金属电容层的表面；及

停止该化学机械研磨制程当侦测到该金属电容层的表面。