[发明专利]一种多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器有效

专利信息
申请号: 202210012165.5 申请日: 2022-01-07
公开(公告)号: CN114039265B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 蒋淑容;韦晨;张晗;张劲;罗鸿禹 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H01S3/07 分类号: H01S3/07;H01S3/067;H01S3/08;H01S3/102;H01S3/11
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 张巨箭
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 波长 功率 可调 红外 光纤 激光器
【权利要求书】:

1.一种多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:其包括顺次连接的第一泵浦源(1)、第一稀土离子掺杂光纤(6)、氟化物光纤(8)、第二稀土离子掺杂光纤(11)和第二泵浦源(20),第一泵浦源(1)、第二泵浦源(20)为功率可调的泵浦源;氟化物光纤(8)上有涂覆材料拉锥光纤或涂覆材料侧边抛磨光纤;

第一稀土离子掺杂光纤(6)、第二稀土离子掺杂光纤(11)上刻有一一对应的光纤光栅对,每对光纤光栅构成一谐振腔,各谐振腔用于选择不同波长的激光,进而输出波长范围为3μm~8μm的多波长、重频且功率比可调的脉冲激光;

所述第一泵浦源(1)、第二泵浦源(20)采用相同波长的激光泵浦;

第一稀土离子掺杂光纤(6)、第二稀土离子掺杂光纤(11)上刻有一一对应的光纤光栅对具体为:第一稀土离子掺杂光纤(6)上靠近第一泵浦源(1)的一端依次刻有第一光纤光栅(4)和第二光纤光栅(5),第二稀土离子掺杂光纤(11)上靠近第二泵浦源(20)的一端依次刻有第三光纤光栅(12)和第四光纤光栅(13),第四光纤光栅(13)靠近第二泵浦源(20)设置,第一光纤光栅(4)与第四光纤光栅(13)构成对第一波长激光进行选择的第一谐振腔;第二光纤光栅(5)与第三光纤光栅(12)构成对第二波长激光进行选择的第二谐振腔;

或第一稀土离子掺杂光纤(6)、第二稀土离子掺杂光纤(11)上刻有一一对应的光纤光栅对具体为:第一稀土离子掺杂光纤(6)上靠近第一泵浦源(1)的一端依次刻有第五光纤光栅(23)、第一光纤光栅(4)和第二光纤光栅(5),第二稀土离子掺杂光纤(11)上靠近第二泵浦源(20)的一端依次刻有第三光纤光栅(12)、第四光纤光栅(13)和第六光纤光栅(24),第六光纤光栅(24)靠近第二泵浦源(20)设置;第一光纤光栅(4)与第四光纤光栅(13)构成对第一波长激光进行选择的第一谐振腔;第二光纤光栅(5)与第三光纤光栅(12)构成对第二波长激光进行选择的第二谐振腔;第五光纤光栅(23)与第六光纤光栅(24)构成对第三波长激光进行选择的第三谐振腔。

2.根据权利要求1所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:将第一泵浦源(1)、第二泵浦源(20)替换为第三泵浦源和分束器,所述第三泵浦源与分束器输入端连接,分束器的第一输出端与第一稀土离子掺杂光纤(6)连接,分束器的第二输出端与第二稀土离子掺杂光纤(11)连接。

3.根据权利要求2所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:所述第一泵浦源(1)、第二泵浦源(20)、第三泵浦源为半导体激光器。

4.根据权利要求1所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:所述第二泵浦源(20)输出端连接有合束器(16),合束器(16)第一端口连接至第二稀土离子掺杂光纤(11),合束器(16)的第三端口为激光器输出端(22)。

5.根据权利要求2所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:所述分束器的第二输出端连接有合束器(16),合束器(16)第一端口连接至第二稀土离子掺杂光纤(11),合束器(16)的第三端口为激光器输出端(22)。

6.根据权利要求4或5所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:所述合束器(16)的第一端口连接有氟化物尾纤,氟化物光纤与第二稀土离子掺杂光纤(11)连接。

7.根据权利要求1或2所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:所述第一稀土离子掺杂光纤(6)、第二稀土离子掺杂光纤(11)为掺Ho3+氟化物光纤、掺Dy3+氟化物光纤、掺Tb3+氟化物光纤、掺Er3+氟化物光纤、掺Tm3+氟化物光纤、Ho3+/Pr3+共掺氟化物光纤中的任意两种。

8.根据权利要求7所述多波长同重频且功率比可调的中红外全光纤激光器,其特征在于:所述第一稀土离子掺杂光纤(6)为掺Dy3+氟化物光纤,第二稀土离子掺杂光纤(11)为掺Ho3+氟化物光纤。

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