[发明专利]一种应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法

权利要求书

1.一种应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，将在MPCVD生长腔室内制备完成的带有多晶衬底的金刚石多晶放入激光切割机中进行边缘环切，将环切完成的带有多晶衬底的金刚石多晶再次放入MPCVD生长腔室内，开机运行多晶生长工艺至平稳生长阶段，此时保持腔室最大生长压力，保持此阶段5～10分钟，随后转入快速降温停机过程，此过程的停机时间比正常停机时间缩短50％～60％；由于金刚石多晶的热膨胀系数与多晶衬底的热膨胀系数存在差异，在快速的降温停机过程中，两者收缩程度不同，使生长完成的金刚石多晶与多晶衬底完整的分离。

2.根据权利要求1所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，所述边缘环切是通过激光切割机完成的，激光切割机为波长1064的三维运动激光切割机。

3.根据权利要求1所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，所述环切为由边界往内0.5mm～1mm。

4.根据权利要求1所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，此时保持腔室最大生长压力为200Torr。

5.根据权利要求1所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，所述开机运行的多晶生长工艺为：调节MPCVD生长腔室压力为5～200Torr，将冷却循环水温设置为10～30℃，通入按比例混合好的氢气、甲烷、氧气的生长气氛，运行微波源，调节微波功率为0.5KW～10KW，控制沉积温度为600～1100℃，随着生长过程的推进，往复循环间隔调节生长腔室压力，调节范围为10～200Toor。

6.根据权利要求5所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，所述生长气氛中氢气体积为96％，甲烷体积为3.8％，氧气体积为0.2％。

7.根据权利要求1所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，所述正常停机时间为开机运行多晶生长工艺至平稳生长阶段所需时间的等同时间。

8.根据权利要求1所述的应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，其特征是，所述停机的过程为开机运行多晶生长工艺至平稳生长阶段的加速反过程。