[发明专利]改善热载流子注入的NMOS的形成方法

权利要求书

1.一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底内形成P型阱区；

在所述P型阱区上形成栅极以及位于所述栅极两侧的侧墙；

以所述侧墙为掩膜，向所述栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；

以所述侧墙为掩膜，分别向所述源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以及

以所述侧墙为掩膜，向所述源区和LDD区之间的P型阱区以及在所述漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区；

形成所述LDD区的离子的注入剂量和注入角度均小于形成所述源区和漏区的离子的注入剂量和注入角度；形成所述P型离子区的离子的注入剂量和注入角度均小于形成所述源区和漏区的离子的注入剂量和注入角度；形成所述P型离子区的离子的注入剂量和注入角度均大于形成所述LDD区的离子的注入剂量和注入角度；所述注入角度是与衬底的表面的夹角。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成P型阱区的方法包括：向所述衬底内注入P型离子，注入的剂量为1e16cm^-3~1e18cm^-3。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述栅极之前，还包括：在所述P型阱区上形成栅氧化层。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成栅极之后，还包括：在栅极的两侧形成ONO层。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述栅极的两侧的P型阱区进行一道或两道N型离子注入，以分别形成源区和漏区。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述LDD区延升至所述栅极的下方。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述源区和所述漏区延升至所述侧墙的下方。