[发明专利]一种基于硅基光波导的双层开关阵列在审
申请号: | 202210013185.4 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN114296181A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 孙小强;李鹏飞;范晓健;刘庭瑜;刘崧岳;张大明 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 硅基光 波导 双层 开关 阵列 | ||
1.一种基于硅基光波导的双层开关阵列,其特征在于:由电光开关阵列、层间耦合器以及光波导组成;其中,电光开关阵列由第一级电光开关阵列(TS11~TS14)、第二级电光开关阵列(TS21~TS24)、第三级电光开关阵列(BS31~BS34)、第四级电光开关阵列(BTS41~BS44)和第五级电光开关阵列(BS51~BS54)五个部分组成,每级电光开关阵列内有4个电光开关单元;第一级电光开关阵列、第二级电光开关阵列制备于器件层1内,第三级电光开关阵列、第四级电光开关阵列和第五级电光开关阵列制备于器件层2内;该双层开关阵列由8条光波导作为输入端口,其中4个输入端口(I1、I3、I5、I7)位于器件层1内,其余4个输入端口(I2、I4、I6、I8)位于器件层2内;双层开关阵列由8条光波导作为输出端口,其中4个输出端口(O2、O4、O6、O8)位于器件层1内,其余4个输出端口(O1、O3、O5、O7)位于器件层2内;
第一级电光开关阵列(TS11~TS14)共有8个输入端口和8个输出端口,其中4个输入端口分别与作为双层开关阵列4个输入端口(I1、I3、I5、I7)的光波导相连接,其余4个输入端口各连接一个由器件层2向器件层1进行光信号传输的层间耦合器(C1、C2、C3、C4),4个层间耦合器(C1、C2、C3、C4)又分别与4个位于器件层2作为双层开关阵列输入端口(I2、I4、I6、I8)的光波导相连接;第一级电光开关阵列的8个输出端口各自通过一条光波导分别与第二级电光开关阵列的8个输入端口相连接;
第二级电光开关阵列(TS21~TS24)共有8个输入端口和8个输出端口,8个输入端口各自通过一条光波导分别与第一级电光开关阵列的8个输出端口相连接,,即TS11的第一输出端口与TS21的第一输入端口相连,TS11的第二输出端口与TS23的第一输入端口相连;TS12的第一输出端口与TS21的第二输入端口相连,TS12的第二输出端口与TS23的第二输入端口相连;TS13的第一输出端口与TS22的第一输入端口相连,TS13的第二输出端口与TS24的第一输入端口相连;TS14的第一输出端口与TS22的第二输入端口相连,TS14的第二输出端口与TS24的第二输入端口相连。第二级电光开关阵列的8个输出端口各连接一个由器件层1向器件层2进行光信号传输的层间耦合器(C9~C16),这8个层间耦合器分别与8个位于器件层2、弯曲半径为20μm、弯曲度数为180°的弯曲光波导的一端相连接;
第三级电光开关阵列(BS31~BS34)共有8个输入端口和8个输出端口,8个输入端口各自通过一条光波导分别与8个弯曲光波导的另一端相连接,即TS21的第一输出端口通过层间耦合器C9与BS31的第一输入端口相连接,TS21的第二输出端口通过层间耦合器C10与BS32的第一输入端口相连接;TS22的第一输出端口通过层间耦合器C11与BS31的第二输入端口相连接,TS22的第二输出端口通过层间耦合器C12与BS32的第二输入端口相连接;TS23的第一输出端口通过层间耦合器C13与BS33的第一输入端口相连接,TS23的第二输出端口通过层间耦合器C14与BS34的第一输入端口相连接;TS24的第一输出端口通过层间耦合器C15与BS33的第二输入端口相连接,TS24的第二输出端口通过层间耦合器C16与BS34的第二输入端口相连接;第三级电光开关阵列的8个输出端口各自通过一条光波导分别与第四级电光开关单元的8个输入端口相连接;
第四级电光开关阵列(BS41~BS44)共有8个输入端口和8个输出端口,8个输入端口各自通过一条光波导分别与第三级电光开关单元的8个输出端口相连接,即BS31的第一输出端口与BS41的第一输入端口相连接,BS31的第二输出端口与BS42的第一输入端口相连接;BS32的第一输出端口与BS41的第二输入端口相连接,BS32的第二输出端口与BS42的第二输入端口相连接;BS33的第一输出端口与BS43的第一输入端口相连接,BS33的第二输出端口与BS44的第一输入端口相连接;BS34的第一输出端口与BS43的第二输入端口相连接,BS34的第二输出端口与BS44的第二输入端口相连接;第四级电光开关阵列的8个输出端口各自通过一条光波导分别与第五级电光开关单元的8个输入端口相连接;
第五级电光开关阵列(BS51~BS54)共有8个输入端口和8个输出端口,8个输入端口各自通过一条光波导分别与第四级电光开关单元的8个输出端口相连接,即BS41的第一输出端口与BS51的第一输入端口相连接,BS41的第二输出端口与BS52的第一输入端口相连接;BS42的第一输出端口与BS53的第一输入端口相连接,BS42的第二输出端口与BS54的第一输入端口相连接;BS43的第一输出端口与BS51的第二输入端口相连接,BS43的第二输出端口与BS52的第二输入端口相连接;BS44的第一输出端口与BS53的第二输入端口相连接,BS44的第二输出端口与BS54的第二输入端口相连接;第五级电光开关阵列的8个输出端口中,4个输出端口分别与4个位于器件层2作为阵列输出端口(O1、O3、O5、O7)的光波导相连接,其余4个输出端口各连接一个由器件层2向器件层1进行光信号传输的层间耦合器(C5、C6、C7、C8),4个层间耦合器(C5、C6、C7、C8)又各自与4个位于器件层1作为阵列输出端口(O2、O4、O6、O8)的光波导相连接;
该双层开关阵列基于双层硅结构晶圆制备,即在500μm厚的Si衬底上依次为3μm厚的SiO2下包层、220nm厚的Si器件层2、150nm厚的SiO2中间层、220nm厚的Si器件层1和3μm厚的SiO2上包层。
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