[发明专利]一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210013552.0 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114530496A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;王博麟;张濛;牛雪锐;杨凌;侯斌;武玫;宓珉瀚;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 欧姆 接触 电阻 gan 沟道 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基P沟道器件，其特征在于，包括：由下至上依次设置的第一Si衬底层(10)、第一保护层(20)、P-GaN层(30)、P-InxGaN层(40)、AlyGaN势垒层(50)和第二保护层(60)；
所述AlyGaN势垒层(50)、所述P-InxGaN层(40)和所述P-GaN层(30)形成N面的异质结结构；
所述P-GaN层(30)上开设有第一凹槽(31)；
所述第一凹槽(31)，槽口朝向所述第一保护层(20)，且填充有所述第一保护层(20)；
所述P-InxGaN层(40)掺杂Mg，且所述P-InxGaN层的厚度为10nm～20nm；其中，0.05≤x≤0.1；
所述AlyGaN势垒层(50)上开设有与所述第一凹槽(31)相对的第二凹槽(51)；所述AlyGaN势垒层(50)的两侧分别沉积有源电极(81)和漏电极(82)；其中，0.2≤y≤0.3；
所述源电极(81)和所述漏电极(82)均延伸至所述第二保护层(60)内；
所述第二凹槽(51)，槽口朝向与所述第一凹槽(31)的槽口朝向相反；所述第二凹槽(51)上设置有栅电极(70)；
所述栅电极(70)延伸至所述第二保护层(60)内；
所述源电极(81)、所述漏电极(82)和所述栅电极(70)的上方分别沉积有贯穿所述第二保护层(60)的互联金属(90)。
2.根据权利要求1所述的一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基P沟道器件，其特征在于，所述P-GaN层(30)的最大厚度为30nm～50nm；所述第一凹槽(31)的内底部与所述P-GaN层(30)的底部之间的厚度为10nm～20nm；所述第二凹槽(51)的深度为5nm～15nm；
所述AlyGaN势垒层(50)的厚度为15nm～25nm；
所述第一保护层(20)的厚度为200nm～300nm；
所述第二保护层(60)的厚度为180nm～220nm；
所述P-InxGaN层(40)的Mg的掺杂浓度为2e19/cm3～3e19/cm3。
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