[发明专利]混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器

权利要求书

1.一种X射线探测器，所述X射线探测器包含混卤全无机钙钛矿单晶；

所述混卤全无机钙钛矿单晶包括Br、I两种卤素，结构式为CsPbBr_3-nI_n，其中，0n≤1；为钙钛矿结构，属于正交晶系，Pnma空间群，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述的混卤全无机钙钛矿单晶包括Br、I两种卤素，结构式为CsPbBr_3-nI_n，其中，0n≤1。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述混卤全无机钙钛矿单晶电阻率为10¹⁰～10¹¹Ωcm。

4.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述混卤全无机钙钛矿单晶随着卤素I含量的增加，电阻率从10⁹Ωcm(CsPbBr₃)提高到10¹¹Ωcm(CsPbBr₂I)。

5.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述混卤全无机钙钛矿单晶随着卤素I含量的增加，晶体的离子迁移激活能从123meV(CsPbBr₃)提高到234meV(CsPbBr₂I)，混卤单晶的离子迁移被抑制。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述混卤全无机钙钛矿单晶具有X射线响应性能。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，包含混卤全无机钙钛矿单晶的X射线探测器从下至上，包括阳极、混卤全无机钙钛矿单晶和阴极，混卤全无机钙钛矿单晶为用于吸收X射线光子的活性材料。

8.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，X射线探测器为半导体混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器。

9.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测器通过对混卤全无机钙钛矿单晶进行切割、研磨、抛光加工，然后分别在表面光滑平整的混卤全无机钙钛矿单晶上、下两面镀上电极材料。

10.根据权利要求9所述的X射线探测器，其特征在于，电极结构为单点电极或用于成像的阵列电极；阵列电极的像素点为16×16或32×32。