[发明专利]低噪声放大器

权利要求书

1.一种低噪声放大器，包括：

放大器电路，其被输入射频RF信号并且通过其输出端来输出经放大的RF信号，以及

数字衰减电路，其连接到所述放大器电路，并且被配置为接收放大器电路输出的RF信号，并且以相同衰减步长来衰减放大器电路输出的RF信号。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述数字衰减电路包括N个数字衰减器，N为大于1的整数，

其中，所述N个数字衰减器的每个的衰减值以2进制关系来设置。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述放大器电路包括共源共栅放大器。

4.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其中，所述共源共栅放大器包括：第一电容器C1、第二电容器C2、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一电阻器R1、第一电感器L1和第二电感器L2，

其中，所述第一电容器C1连接在射频输入端口和第一晶体管M1的栅极之间；

所述第一电阻器R1的第一端连接到第一晶体管M1的栅极，并且其第二端连接到第一输入电压vb1；

所述第一晶体管M1的源极连接到第一电感器L1的第一端，并且其漏极连接到第二晶体管M2的源极；

所述第一电感器L1的第一端与第一晶体管M1的源极连接，并且其第二端连接到接地节点；

所述第二晶体管M2的栅极连接到第二输入电压vb2，所述第二晶体管M2的源极连接到第一晶体管M1的漏极，并且所述第二晶体管M2的漏极连接在第二电容器C2和第二电感器L2之间；

所述第二电容器C2的第一端连接到第二晶体管M2的漏极，并且其第二端连接到数字衰减电路；以及

所述第二电感器L2的第一端连接到第二晶体管M2的漏极，并且其第二端连接到电源电压VDD。

5.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其中，所述数字衰减器包括晶体管MA、晶体管MB、晶体管MC、电阻器RA、电阻器RB以及电阻器RC，

其中，所述晶体管MA的漏极和源级分别连接到电阻器RA的第一端和第二端，晶体管MA的栅极连接到第一控制信号，

所述晶体管MB的漏极连接到电阻器RB的第一端，源级连接到接地节点，栅极连接到第一控制信号的互补信号，

晶体管MC的漏极连接到电阻器RC的第一端，源级连接到接地节点，栅极连接到第一控制信号的互补信号，

电阻器RB的第二端和电阻器R1的第二端分别连接到电阻器RA的第一端和第二端，以及

电阻器RA的第一端和第二端分别为所述数字衰减器的输入端和输出端。

6.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其中，当N为3时，所述数字衰减电路包括1dB数字衰减器、2dB数字衰减器和4dB数字衰减器。

7.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其中，所述N个数字衰减器串联连接在所述放大器电路的输出端和LNA的输出端口rfout之间。

8.根据权利要求6所述的低噪声放大器，

其中，根据1dB控制信号及其互补信号、2dB控制信号及其互补信号以及4dB控制信号及其互补信号，分别控制1dB数字衰减器，2dB数字衰减器和4dB数字衰减器。

9.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述低噪声放大器包括HBT晶体管、CMOS晶体管、BJT晶体管、BiCMOS晶体管以及GaN晶体管中的至少一个。