[发明专利]一种MEMS硅基孔腔雾化芯及其制造方法在审
| 申请号： | 202210019347.5 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114158783A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李文翔;王敏锐 | 申请（专利权）人： | 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 |
| 主分类号： | A24F40/46 | 分类号： | A24F40/46;A24F40/40;A24F40/10;A24F40/42;A24F40/70 |
| 代理公司： | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 硅基孔腔 雾化 及其 制造 方法 | ||
1.一种MEMS硅基孔腔雾化芯，其特征在于，包括：硅衬底(1)、填充层(2)和加热丝(3)，所述硅衬底(1)一侧表面设置有若干个微孔、相对的另一侧表面设置有至少一个进液孔(11)，所述微孔包括雾化孔(12)和释放孔(13)，所述硅衬底(1)内部设置有储液腔(14)，所述释放孔(13)连通至所述储液腔(14)，所述雾化孔(12)连通至所述储液腔(14)，所述进液孔(11)连通至所述储液腔(14)，所述填充层(2)制作在所述硅衬底(1)上所述微孔一侧表面，所述填充层(2)封闭所述释放孔(13)顶部，所述加热丝(3)制作在所述填充层(2)表面，所述加热丝(3)的端部设置有接触电极(31)。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS硅基孔腔雾化芯，其特征在于，所述雾化孔(12)的孔径大于所述释放孔(13)的孔径。
3.根据权利要求1或2所述的一种MEMS硅基孔腔雾化芯，其特征在于，所述雾化孔(12)的孔径小于所述进液孔(11)的孔径。
4.一种MEMS硅基孔腔雾化芯的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备硅衬底(1)；
S2、在所述硅衬底(1)上使用干法或湿法蚀刻工艺，加工出雾化孔(12)和释放孔(13)；
S3、使用干法或湿法蚀刻工艺，通过所述雾化孔(12)和所述释放孔(13)，将两者底部的硅材料刻蚀掉，在所述硅衬底(1)内部形成一个空腔，作为储液腔(14)；
S4、在所述硅衬底(1)表面沉积填充层(2)，所述填充层(2)将所述释放孔(13)的顶部密封；
S5、在所述填充层(2)表面沉积金属材质的加热丝(3)，并通过干法蚀刻工艺或湿法腐蚀工艺做出特定图形；
S6、通过干法蚀刻或湿法蚀刻在所述硅衬底(1)背面蚀刻出进液孔(11)，完成雾化芯加工。
5.根据权利要求4所述的一种MEMS硅基孔腔雾化芯的制造方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述填充层(2)包括氧化硅、氮化硅、多晶硅中的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的一种MEMS硅基孔腔雾化芯的制造方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述加热丝(3)的材质包括Al、Ti/Au、Ti/Pt、Ti/TiN/Au、Ti/TiN/Pt、Ta/Au、Ta/Pt、Ta/TaN/Au、Ta/TaN/Pt。
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