[发明专利]用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法

权利要求书

1.一种微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括由下至上堆叠设置的第一材料层和第二材料层，所述第二材料层的电阻率高于所述第一材料层的电阻率；

刻蚀所述第二材料层至至少第一时间点，以在所述第二材料层中形成凹槽；其中，所述第一时间点为所述第二材料层中对应在凹槽内的部分被完全刻蚀去除时所对应的时间点；或者，所述第一时间点早于所述第二材料层中对应在凹槽内的部分被完全刻蚀去除时所对应的时间点；以及，

判断在第一时间点之前是否有检测到衬底结构的电阻发生突变，当在第一时间点之前检测到了电阻发生突变，则判断出所述凹槽的底角位置出现微沟槽且暴露出所述第一材料层。

2.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，所述第二材料层为绝缘材料层，所述第一材料层为导电材料层。

3.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，所述第二材料层中对应在凹槽内的部分在第二时间点被完全刻蚀去除，所述第一时间点早于所述第二时间点。

4.如权利要求3所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，在第一时间点之前未检测到衬底结构的电阻发生突变，则继续刻蚀所述第二材料层，直至检测到电阻发生突变；

判断电阻发生突变的时间节点是否早于所述第二时间点；若是，则推断出当前刻蚀工艺存在微刻蚀风险。

5.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，利用刻蚀设备刻蚀所述第二材料层，并根据第一时间点之前检测到的衬底结构的电阻是否发生突变，推断出所述刻蚀设备是否存在异常。

6.如权利要求5所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，在第一时间点之前未检测到衬底结构的电阻发生突变，并且所述第二材料层中对应在凹槽内的部分未被完全刻蚀去除，则利用所述刻蚀设备继续刻蚀所述第二材料层，直至检测到电阻发生突变；

判断电阻发生突变的时间节点是否早于第二时间点；若是，则判定所述刻蚀设备为风险设备；若否，则判定所述设备无异常；

其中，所述第二材料层中对应在凹槽内的部分在第二时间点被完全刻蚀去除，所述第一时间点早于所述第二时间点。

7.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，所述凹槽的宽度尺寸大于等于25nm。