[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210021422.1 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114530416A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;李筱雯;郑宇珊;张铭庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一基板，包括一第一区与一第二区；
其中该第一区中的该半导体装置包括：
一第一隔离结构；
多个第一通道层，形成于该第一隔离结构上并沿着一第一方向延伸；以及
一第一栅极结构，包覆每一所述第一通道层并沿着一第二方向延伸，且该第二方向垂直于该第一方向；其中该第一栅极结构具有自该第一隔离结构的上表面延伸至该第一栅极结构的上表面的一第一高度；
其中该第二区中的该半导体装置包括：
一第二隔离结构；
多个第二通道层，形成于该第二隔离结构上并沿着该第一方向延伸；以及
一第二栅极结构，包覆每一所述第二通道层并沿着该第二方向延伸；
其中该第二栅极结构具有自该第二隔离结构的上表面延伸至该第二栅极结构的上表面的一第二高度；以及
其中该第二高度大于该第一高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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