[发明专利]显示模组、显示模组制作方法及电子设备在审
申请号: | 202210022079.2 | 申请日: | 2022-01-10 |
公开(公告)号: | CN114361234A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 孙丹丹;颜志敏;张振宇 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G09G3/3208 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 制作方法 电子设备 | ||
1.一种显示模组,其特征在于,包括阵列基板以及设置在所述阵列基板上的多个发光单元,所述发光单元包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的共通层和发光层,其中,所述多个发光单元共用同一所述共通层及所述第二电极;
所述显示模组还包括设置在相邻所述发光单元之间的偏置电极及开关单元,所述偏置电极通过所述开关单元连接提供偏置电压信号的信号引线;
所述开关单元在对应相邻所述发光单元中的任意一个发光单元被点亮时导通,所述偏置电极通过所述偏置电压信号与所述第二电极形成用于抑制所述共通层中的载流子在对应相邻所述发光单元之间横向移动的抑制电场。
2.如权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述偏置电极与所述共通层导通;
优选地,所述偏置电极与所述共通层接触;
优选地,所述偏置电极位于不同颜色的相邻所述发光单元之间。
3.如权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述阵列基板上设置有像素限定层,所述像素限定层在所述阵列基板上限定出用于容纳所述发光单元中发光层的像素开口;
位于相邻所述发光单元之间的像素限定层设置有缺口,位于相邻所述发光单元之间的共通层经由所述缺口与所述偏置电极导通;
优选地,所述缺口的尺寸小于或等于所述像素开口的尺寸。
4.如权利要求3所述的显示模组,其特征在于,所述阵列基板包括像素驱动层及位于所述像素驱动层上的平坦化层;
所述偏置电极位于所述像素限定层与所述平坦化层之间,或位于所述像素限定层的缺口中;
所述开关单元与提供所述偏置电压信号的信号引线位于所述阵列基板中,所述开关单元的一端与所述信号引线电连接;
所述开关单元的另一端通过平坦化层过孔与所述偏置电极电连接;
优选地,所述平坦化层包括依次层叠在所述像素驱动层上的第一平坦化层及第二平坦化层,所述开关单元位于所述第一平坦化层远离所述像素驱动层的一侧,所述开关单元通过所述第二平坦化层过孔与所述偏置电极连接;
优选地,所述信号引线由所述阵列基板中的任意一金属层制作而成;
优选地,所述信号引线位于所述平坦化层中,且位于所述第一平坦化层远离所述像素驱动层的一侧。
5.如权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述偏置电极为透明电极;
优选地,所述偏置电极采用氧化铟锡材料制作而成。
6.如权利要求5所述的显示模组,其特征在于,所述开关单元为光敏二极管,所述光敏二极管的阳极端与所述信号引线连接,所述光敏二极管的阴极端与所述偏置电极连接。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的显示模组,其特征在于,所述发光单元为单层OLED发光器件;
所述共通层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层中的至少一者。
8.如权利要求1-6中任意一项所述的显示模组,其特征在于,所述发光单元为多层OLED发光器件,所述发光单元包括多个所述发光层;
所述共通层包括空穴注入层、空穴传输层、电荷产生层、电子传输层及电子注入层中的至少一者;
优选地,所述电荷产生层的层数为至少一层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210022079.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的