[发明专利]接收模组、封装结构、印制电路板及电子设备有效

专利信息
申请号: 202210023122.7 申请日: 2022-01-10
公开(公告)号: CN114035212B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 王统;黄清华 申请(专利权)人: 荣耀终端有限公司
主分类号: G01S19/36 分类号: G01S19/36;H05K1/11;H05K1/18
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 接收 模组 封装 结构 印制 电路板 电子设备
【权利要求书】:

1.一种接收模组,其特征在于,所述接收模组包括第一射频端口、第二射频端口、第一滤波单元、放大单元与控制单元,所述放大单元包括第一端与第二端;

所述第一射频端口通过所述第一滤波单元与所述放大单元的第一端连接,所述放大单元的第二端与所述第二射频端口连接,所述控制单元连接所述放大单元;

所述控制单元用于控制所述放大单元的工作模式;

当所述控制单元控制所述放大单元工作在第一模式时,所述第一射频端口用于接收信号,所述第一滤波单元用于对所述第一射频端口接收的信号进行滤波,所述放大单元用于将滤波后的信号进行放大,将放大后的信号输出至所述第二射频端口;

当所述控制单元控制所述放大单元工作在第二模式时,所述第二射频端口用于接收信号,所述放大单元用于将所述第二射频端口接收的信号进行放大,所述第一滤波单元用于对放大后的信号进行滤波,将滤波后的信号输出至所述第一射频端口。

2.根据权利要求1所述的接收模组,其特征在于,所述放大单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一开关与第二开关;

所述第一晶体管的栅极与所述放大单元的第一端连接,所述第一晶体管的源极接地,所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极连接;

所述第二晶体管的栅极与所述放大单元的第二端连接,所述第二晶体管的源极接地,所述第二晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极连接;

所述第三晶体管的漏极连接第一电源,所述第三晶体管的漏极还通过所述第一开关与所述放大单元的第二端连接,所述第三晶体管的漏极还通过所述第二开关与所述放大单元的第一端连接。

3.根据权利要求2所述的接收模组,其特征在于,所述控制单元用于控制所述第一晶体管、所述第三晶体管工作在放大状态,控制所述第二晶体管截止,控制所述第一开关导通、所述第二开关断开,以使所述放大单元工作在所述第一模式。

4.根据权利要求2所述的接收模组,其特征在于,所述控制单元用于控制所述第二晶体管、所述第三晶体管工作在放大状态,控制所述第一晶体管截止,控制所述第二开关导通、所述第一开关断开,以使所述放大单元工作在所述第二模式。

5.根据权利要求1所述的接收模组,其特征在于,所述控制单元包括第一使能端与第二使能端;

当所述第一使能端使能时,所述控制单元用于控制所述放大单元工作在所述第一模式;

当所述第二使能端使能时,所述控制单元用于控制所述放大单元工作在所述第二模式。

6.根据权利要求2所述的接收模组,其特征在于,所述放大单元还包括第一电容,所述第三晶体管的栅极通过所述第一电容接地。

7.根据权利要求2所述的接收模组,其特征在于,所述接收模组还包括第一电感,所述第一电感与所述放大单元的第一端连接,所述第一电感的第二端与所述第一晶体管的栅极连接。

8.根据权利要求2所述的接收模组,其特征在于,所述接收模组还包括第二电感,所述第三晶体管的漏极通过所述第二电感连接所述第一电源。

9.根据权利要求1~8任意一项所述的接收模组,其特征在于,所述第一滤波单元包括声表面波滤波器。

10.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括基板以及设置在所述基板上的接收模组,所述接收模组为如权利要求1~9任一项所述的接收模组。

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